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GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路

曾庆明 , 徐晓春 , 刘伟吉 , 李献杰 , 敖金平 , 王全树 , 郭建魁 , 赵永林 , 揭俊锋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.018

叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.

关键词: GaAs , HBT , 微波单片集成电路

AlGaN/GaNHEMT器件研究

曾庆明 , 吕长志 , 刘伟吉 , 李献杰 , 赵永林 , 敖金平 , 徐晓春

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.010

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导~157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz.

关键词: GaN , HEMT

WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

刘伟吉 , 曾庆明 , 李献杰 , 敖金平 , 赵永林 , 郭建魁 , 徐晓春

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.015

发展了WN/W难熔栅自对准工艺.WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌.在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管.在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V.与p型HFET的-3V的阈值基本对称.反向击穿电压为4~5V.

关键词: WN/W , 难熔栅 , CHFET , HIGFET

InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术

李献杰 , 曾庆明 , 徐晓春 , 敖金平 , 刘伟吉 , 梁春广

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.012

用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.

关键词: InP , InGaAs , 选择腐蚀 , HBT

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