高倩
,
林成
,
曹力生
,
刘志林
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2007.04.008
为了在电子结构上揭示Al-Mg-Si合金时效强化初期的机理,利用"EET"理论中的键距差法(BLD法),计算了Al-Mg-Si合金中过饱和固溶体相、GP区以及β相的电子结构;解释了Al-Mg-Si合金高温淬火后,过饱和固溶体产生GP区而不是直接产生β稳定相的过程.
关键词:
Al-Mg-Si合金
,
时效强化
,
价电子结构
,
过饱和固溶体
,
GP区
,
EET理论
林成
,
曹丽云
,
曹力生
,
张春刚
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.06.027
由于Al-Cu合金GPI区的形成与分解能对合金性能产生显著影响,因此研究Al-Cu合金GPI区中应变场及Cu成分也将具有重要的理论价值.基于“固体与分子经验电子理论”(EET),构建了Al-Cu合金GPI区应变场及Cu成分分析模型,计算了GPI区未变形的价电子结构参数统计值,在电子结构层次上分析了GPI区应变场形成原因,预测了GPI区应变场数量级及单原子层中Cu成分,预测结果与实验研究符合很好.
关键词:
Al-Cu合金
,
固体与分子经验电子理论
,
应变场
,
Cu成分
曹力生
,
赵作福
,
方红
表面技术
采用纯化学处理的方法,在NiTi形状记忆合金表面沉积羟基磷灰石膜层,探讨了在钙化初期引入电脉冲对膜层的影响,分析了钙化液组分浓度以及脉冲参数对膜层生长的响应规律.结果表明:含Ca2+3.10mmol/L,K+ 4.64 mmoL/L,Na+ 126.8 mmol/L,C1-144.5 mmol/L及HPO42-1.86 mmol/L,且呈弱碱性的钙化液最适合钙磷层的生长,采用此钙化液,经适当处理后,试样表面生成了疏松、多孔的钙磷层,经检测,钙磷层为羟基磷灰石和其它钙磷盐的混合物；电脉冲的引入可在一定程度上加速钙磷层的沉积,并提高羟基磷灰石膜的纯度.
关键词:
NiTi形状记忆合金
,
羟基磷灰石膜层
,
化学处理
,
电脉冲
