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离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

刘成 , 曹春芳 , 劳燕锋 , 曹萌 , 谢正生 , 吴惠桢

功能材料

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强.

关键词: 垂直腔面发射激光器 , 离子注入 , 退火

PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构

徐天宁 , 吴惠桢 , 斯剑霄 , 曹春芳 , 黄占超

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.06.013

用分子束外延技术在BaF2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构;当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫.在BaF2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃.

关键词: 无机非金属材料 , PbSe单晶薄膜 , 分子束外延 , 应变弛豫 , 螺旋结构

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