杨成绍
,
王志光
,
孙建荣
,
姚存峰
,
臧航
,
魏孔芳
,
缑洁
,
马艺准
,
申铁龙
,
盛彦斌
,
朱亚斌
,
庞立龙
,
李炳生
,
张洪华
,
付云翀
原子核物理评论
室温下,用94 MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×10~(11),1.0×10~(12)和1.0×10~(13) ions/cm~2.所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析.通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化.结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78 eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50 eV快速增大至约1.81 eV,然后再减小至约1.67 eV.对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨.
关键词:
硅
,
薄膜
,
重离子辐照
,
光学带隙
臧航
,
王志光
,
魏孔芳
,
孙建荣
,
姚存峰
,
申铁龙
,
马艺准
,
杨成绍
,
庞立龙
,
朱亚斌
原子核物理评论
室温下用80 keV N离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.0×10~(14),5.0×10~(15)和5.0×10~(16) ions/cm~2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征.实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0×10~(15) ions/cm~2时,观测到缺陷生成和局域无序化现象,但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向;随着注量的增大,晶格常数c和压应力呈增大趋势.对注入N离子对ZnO薄膜结构特性的影响机理进行了简单的讨论.
关键词:
ZnO薄膜
,
N离子注入
,
X射线衍射
,
透射电镜
王淑芳
,
周岳亮
,
朱亚斌
,
刘震
,
张芹
,
陈正豪
,
吕惠宾
,
杨国桢
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.050
本文报道了利用化学气相沉积技术制备MgB2超导薄膜.首先在MgO(111)基片上化学气相沉积一层B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理.退火后得到的MgB2薄膜在MgO(111)基片上呈随即取向生长,Mg、B原子比接近于1∶2.4;薄膜表面光滑致密,晶粒粒度约为0.5μm.电阻测量和直流磁测量表明薄膜超导转变温度为38K,转变宽度仅为0.1K.毕恩公式计算结果显示MgB2薄膜的临界电流密度在0T、10K时高达2×107A/cm2.
关键词:
