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铌镁酸铋-钛酸铅压电陶瓷准同型相界附近的性能和相变温度研究

洪琳 , 赵丽艳 , 朱兴文 , 郑嘹赢 , 曾江涛 , 李国荣

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11525

利用传统固相烧结法制备了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(BMN-PT)压电陶瓷, 分析了不同PbTiO3含量对BMN-PT压电陶瓷的晶体结构、介电、压电及铁电性能的影响. XRD结果表明: 合成的BMN-PT陶瓷具有纯钙钛矿结构, 并且在PbTiO3含量为x=0.60时, 其组分的XRD图谱在衍射角2θ=45°出现明显的分峰, 说明该组分相结构中存在三方和四方相的共存. 压电铁电性能显示, BMN-0.60PT有最大的压电常数d33(~170pC/N)和平面机电耦合系数kp(0.35), 最小的矫顽场Ec(29.4 kV/cm)及最大的剩余极化Pr(31.4 μC/cm2). 确定了BMN-PT压电陶瓷的准同型相界(MPB)为PbTiO3含量x=0.60的组分. 介电系数温谱表明介电系数峰值温度(Tm)随着PbTiO3含量的增大而升高, MPB组分的Tm约为276℃.

关键词: 压电陶瓷; 铌镁酸铋钛酸铅; 准同型相界; 相变温度

[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究

朱兴文 , 李勇强 , 陆液 , 李英伟 , 夏义本

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00359

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜, 研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律. 结果表明, 399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起; 与[002]取向的薄膜相比, 未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大, 且出现了380nm附近的带边发射(NBE) 峰; 在560~580℃热处理下, 其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm 左右的带间发光峰红移; 当热处理温度升至610℃时, 薄膜中再次出现380nm的NBE峰.

关键词: ZnO薄膜 , Li dopant , [101] orientation , photoluminescence

Na+掺杂ZnO薄膜的结构和电学性能

李英伟 , 林春芳 , 周晓 , 朱兴文

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2007.08.005

以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法在Si〈100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜,掺杂浓度分别为0,0.018,0.036,0.045,0.063和0.09 mol/L.研究了钠掺杂后ZnO晶胞尺寸和表面形貌的变化规律,用霍尔效应仪测试了试样的载流子浓度及导电类型,分析了材料的拉曼光谱与试样内部缺陷浓度的关系.结果表明:Na+离子可进入ZnO晶格取代Zn2+,导致晶胞变大,同时ZnO薄膜由n-型转变为p-型导电;当Na+掺杂浓度达0.045 mol/L时,其电阻率为75.7Ω·cm,空穴浓度2.955×1017 /cm3.

关键词: ZnO薄膜 , Na+掺杂 , p-型导电 , 溶胶-凝胶法

[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究

朱兴文 , 李勇强 , 陆液 , 李英伟 , 夏义本

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.02.034

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560~580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰.

关键词: ZnO薄膜 , Li掺杂 , [101]取向 , PL谱

铌镁酸铋-钛酸铅压电陶瓷准同型相界附近的性能和相变温度研究

洪琳 , 赵丽艳 , 朱兴文 , 郑嘹赢 , 曾江涛 , 李国荣

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11525

利用传统固相烧结法制备了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(BMN-PT)压电陶瓷,分析了不同PbTiO3含量对BMN-PT压电陶瓷的晶体结构、介电、压电及铁电性能的影响.XRD结果表明:合成的BMN-PT陶瓷具有纯钙钛矿结构,并且在PbTiO3含量为x=0.60时,其组分的XRD图谱在衍射角2θ=45°出现明显的分峰,说明该组分相结构中存在三方和四方相的共存.压电铁电性能显示,BMN-0.60PT有最大的压电常数d33(~170pC/N)和平面机电耦合系数kp(0.35),最小的矫顽场Ec(29.4kV/cm)及最大的剩余极化Pr(31.4μC/cm2).确定了BMN-PT压电陶瓷的准同型相界(MPB)为PbTiO3含量x=0.60的组分.介电系数温谱表明介电系数峰值温度?随着PbTiO3含量的增大而升高,MPB组分的Tm约为276℃.

关键词: 压电陶瓷 , 铌镁酸铋钛酸铅 , 准同型相界 , 相变温度

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