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L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究

曹亚超 , 李明伟 , 潘翠连 , 朱廷霞 , 尹华伟 , 程旻

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.11.013

通过对 L-丙氨酸掺杂下 ZTS(100)、(010)及(001)面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,(100)面的法向生长速度先增大后减小,而(010)及(001)面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明(100)面以位错生长机制为主,(010)及(001)面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的(100)面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33~308 mm-2;掺杂浓度为1%(摩尔分数)时,蚀坑密度最小。

关键词: ZTS晶体 , 法向生长速度 , 动力学 , L-丙氨酸 , 化学侵蚀法

ADP晶体(100)面相变界面的微观结构

曹亚超 , 李明伟 , 喻江涛 , 王晓丁 , 朱廷霞

人工晶体学报

ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM(Atomic Force Microscopy)研究表明,其相变驱动力为0.01~0.04kT/ωs时,ADP晶体(100)面的平均面粗糙度和均方面粗糙度均不到0.3 nm,小于该晶面间距0.75 nm,微观结构表现为光滑界面,与夫兰克模型、特姆金模型相符,并观测到螺位错生长;在相变驱动力为0.053~0.11kT/ωs时,ADP晶体的(100)面的平均面粗糙度和均方面粗糙度介于1.8~4.2 nm,大于该晶面间距0.75 nm,微观结构粗糙度增加,趋向于粗糙界面,可用特姆金的弥散界面模型解释,界面上观测到多二维核生长.

关键词: 相变界面 , 微观结构 , 粗糙度 , 相变驱动力 , AFM

"蒸发成核法"研究KDP晶核大小及形状

殷士杰 , 李明伟 , 朱廷霞 , 郭晋丽 , 宋洁

功能材料

提出一种有望用于研究临界或近临界晶核大小及形状的新方法,借助于原子力显微镜(AFM),对磷酸二氢钾(KDP)晶核的大小以及形状进行了研究.结果表明,应用"蒸发成核法"可得到纳米尺寸的晶核,随溶液浓度的增大,晶核直径从25.8nm增大至59.1nm.其中最小尺寸的晶核,与低过饱和度下的理论预测值较接近.一般情况下,晶核呈球缺型,与经典理论假设形状相符.但蒸发温度低时,晶核可呈矩形(柱状),与KDP晶体的宏观形状更为接近.在蒸发速度较快时,晶核难以形成,只会出现溶质的堆积体.

关键词: 成核 , 蒸发 , AFM , KDP

简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟

李明伟 , 程旻 , 付东 , 李哲 , 朱廷霞

功能材料

通过对简立方晶体(001)晶面生长的蒙特卡罗模拟,获得了不同晶体表面热粗糙度,不同过饱和度,不同平均扩散距离以及不同表面尺寸下晶体生长速率;同时,应用舍维数法,计算了表面分形维数;并对表面形貌及描述表面特性的相关参量作了分析.结果表明,法向生长模式和二维核生长模式,包括单核和多核生长模式,都可能出现,其主要取决于热粗糙度和过饱和度的大小.晶体生长速率与表面的微观特性紧密相关,如扭折、台阶、台面和吸附基元的百分比.

关键词: 晶体生长 , 蒙特卡罗模拟 , 表面形貌 , 分形维数

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