伍达将
,
唐吉玉
,
崔婧
,
刘洋
,
朱永安
功能材料与器件学报
本文利用各向同性的周期性四方形基底,模拟了沉积能量与沉积速率对薄膜三维形貌的影响.模型主要分析了原子沉积、吸附原子扩散和原子脱附三个过程,同时详细地考虑了四方形基底的最近邻和次近邻的影响.结果表明:沉积能量对薄膜粗糙度、衬底填充比、岛的个数都有明显的影响.沉积速率对薄膜粗糙度的影响较小,在低沉积能量下对填充比和岛的个数影响较小,在高沉积能量下对填充比和岛的个数影响较大.在高沉积能量高沉积速率下,为了提高成膜质量,同时保证成膜效率,适当降低沉积速率比适当降低沉积能量更有效.
关键词:
沉积能量
,
沉积速率
,
粗糙度
,
填充比
朱永安
,
唐吉玉
,
潘保瑞
,
陈俊芳
,
陆旭兵
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.012
该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析.初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好.作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20％.
关键词:
GaInAsN/GaAs量子阱
,
阱宽
,
垒厚
,
短路电流
,
伏安特性
