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B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变

张蓓 , 张鹏 , 王军 , 朱飞 , 曹兴忠 , 王宝义 , 刘昌龙

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.30.04.471

室温下将130 keV,5×1014 cm-2 B离子和55 keV,1×1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B和H离子顺次注入到单晶Si可有效减少(111)取向的H板层缺陷,并促进了(100)取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT观测结果显示,在顺次注入的样品中,B离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。

关键词: 单晶Si , B和H离子注入 , H板层缺陷 , XTEM , SPAT

Ti对SiCp/Al等离子弧焊焊缝组织的影响

雷玉成 , 朱飞 , 袁为进 , 程晓农

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.06.002

对铝基复合材料进行等离子弧焊接,高温下基体Al与增强相SiC之间发生有害界面反应,生成脆性相Al4C3,严重降低焊接接头的力学性能.采用钛合金作为填充材料,对SiCp/6061Al进行原位合金化焊接,并将离子气由单一的Ar气变为以一定比例混合的N2+Ar的混合气体,着重研究了合金化填充材料Ti对焊缝显微组织的影响.研究结果表明:合金化填充材料Ti的添加改善了基体与增强相间的润湿性,在一定程度上抑制了基体Al与增强相SiC之间界面反应的发生,抑制了脆性相Al4C3的生成,并获得以TiN、AlN为二次增强相均匀分布的焊缝显微组织,保证了焊接接头的力学性能.

关键词: 铝基复合材料(SiCp/6061Al MMCs) , 等离子弧焊接 , 合金化填充材料Ti , TiN , AlN

高模量碳纤维低损伤一步预浸缠绕技术

李勇 , 肖军 , 邱伟娟 , 朱飞

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2002.06.005

介绍了针对采用高模量碳纤维缠绕时损伤严重而研制的一项新技术.通过无辊浸胶系统和纤维浸胶后烘道加热装置,不但降低预浸纱制备和退纱缠绕所造成较大的纤维损伤,而且可以实现预浸纱含胶量精确控制及连续浸胶和缠绕,同时大大提高了缠绕效率.

关键词: 复合材料 , 纤维缠绕 , 高模量碳纤维 , 预浸纱

从浮选尾矿中回收含金黄铁矿实践

朱飞 , 赵建伟 , 王艳慧 , 石凤野 , 唐彦臣

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2012.02.012

对河南金源金矿浮选尾矿采用螺旋溜槽粗选、摇床精选重选工艺进行二次回收,得到含金硫精矿,取得了较好的经济效益,每年可为企业获得约1 660万元利润.

关键词: 浮选尾矿 , 螺旋溜槽 , 摇床 , 重选 ,

半自磨工艺在李子金矿的应用

朱飞 , 陶明浩 , 刘志华 , 屈战

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.02.012

采用半自磨工艺处理李子金矿矿石,当自磨机装球率6 %、磨矿浓度76 %时,自磨机生产能力达450 t/d,产品粒度-200目55 %,磨矿电耗、球介质消耗达最佳值,比采用常规碎、磨工艺成本节省12.82 元/t.

关键词: 半自磨工艺 , 碎矿 , 磨矿 , 方案比较 , 指标

卧式行星球磨机最佳参数的数值模拟

朱飞 , 张林进 , 蔡道林 , 叶旭初

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2012.05.003

采用颗粒离散元法模拟得到卧式行星磨磨筒内钢球平均接触力大小以及随填球率、钢球直径、磨筒半径和公转半径的变化规律,并与实验结果进行了比较分析.结果表明:行星磨的粉磨速率可以由平均接触力大小来确定,粉磨速率的对数是平均接触力线性函数,斜率为0.087.磨筒填球率的增加,导致钢球的平均接触力减小;随着钢球直径、磨筒半径、公转半径的增大,平均接触力呈线性增长,斜率分别为2.5,0.14,0.03,其中钢球直径对平均接触力的影响最大.

关键词: 粉磨速率 , 数值模拟 , 卧式行星球磨机 , 离散元法

Ce3+浓度对YVO4∶Ce3+晶体发光性能的影响

杨广武 , 杨瑞霞 , 张守超 , 朱飞

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160173

利用提拉法生长了掺杂浓度为1.0at%l0.0at%的YVO4∶Ce3+单晶,XRD分析显示Ce3+的掺入没有改变晶体结构.晶体的激发和发射谱测试表明,在325 nm激发下YVO4∶Ce3+发射出峰值在445 nm的蓝光和620 nm附近的红光.蓝光发光强度随Ce3+浓度增加而增强,当浓度为8.0at%时达到最强,10.0at%时出现浓度淬灭,发光减弱;红光则随着Ce3+浓度的增加而持续增强.通过实验分析推测蓝光来源于Ce3+电子从激发态2D3/2到基态2F5/2的跃迁,而红光则是由于V4+的电子能级跃迁而形成的.XPS测试显示部分Ce3+失去电子被氧化成为Ce4+,失去的电子大部分被V5+捕获形成V4+.V4+的d轨道分裂为三个轨道单态2A1、2B1、2B2和一个轨道简并态2E等4个能级,基态为2B2.V4+中电子通过能量传递、辐射跃迁和无辐射跃迁等过程,可以实现波长在620 nm附近的红光发射以及在620 nm激发下的451 nm蓝光上转换发光.实验证实了上转换发光为双光子过程.研究结果对紫外激发下YVO4∶Ce3+红、蓝光发光行为提供了理论支撑.

关键词: 铈离子 , 上转换发光 , V4+ , 能量传递 , 红光发射

X-cor夹层结构低速冲击实验和数值模拟研究

朱飞 , 还大军 , 肖军 , 李勇

航空材料学报 doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.000187

X-cor泡沫夹层结构是一种通过Z-pin技术增强泡沫夹芯的新型高性能夹层结构.在低速冲击下,X-cor夹层结构损伤失效机制复杂,通过在不同能量阶段对X-cor夹层结构失效行为进行分析,讨论Z-pin植入体积分数和泡沫芯材密度对失效行为的影响.低速冲击试样规格为Z-pin直径0.5 mm、植入角度为22°,分别改变泡沫类型和Z-pin植入体积分数进行实验,结果表明:6 J冲击能量下,冲击能量主要由面板分层承担,相对于未植入Z-pin试样,随着Z-pin植入体积分数的升高,面板分层面积最多减少了45.1%,而泡沫密度对分层面积影响不大;12 J冲击能量下,部分Z-pin发生失效,通过剩余压缩强度比发现,随着Z-pin植入体积分数的增加,剩余压缩强度比先增大后减小,植入体积分数为0.42%时最高,而此时泡沫密度增加,剩余压缩强度比也随之增加;当能量到达18 J时,芯材开始出现剪切裂纹,同时吸收大部分能量,较弱的芯材剩余压缩强度比大,而Z-pin植入体积分数越大,剩余压缩强度比反而越小.采用数值模拟的方法建立低速冲击模型,并将冲击后的结果直接传递应用于剩余压缩强度模型中,得到的结果比实验值偏高25%~29%.

关键词: 低速冲击 , 分层面积 , X-cor夹层结构 , 剩余压缩强度 , 数值模拟

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