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磁场下MgB2的电导涨落效应

李慧玲 , 阮可青 , 李世燕 , 莫维勤 , 樊荣 , 罗习刚 , 陈仙辉 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.04.006

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构.由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合.

关键词:

Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc>124K)在混合态中的输运性质的研究

钱国光 , 阮可青 , 陈仙辉 , 李世燕 , 曹强 , 汪成友 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.02.010

本文研究了c轴取向的Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc>124K)在混合态下的电阻展宽及霍尔效应.低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为. 在膜的超导转变温度以下, 我们观察到霍尔电阻率符号反常现象.霍尔电阻率(ρxy)和纵向电阻率(ρxx})具有ρxy}(T)=kρβxx(T)的标度关系.

关键词:

Bi2Sr2-xLaxCaCu2Oy体系电子结构的光电子能谱研究

曹强 , 钱国光 , 阮可青 , 李世燕 , 陈仙辉 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.02.004

Bi系铜氧化物超导体具有双Bi-O层结构,带结构理论计算显示,除Cu-O面参与金属导电外,Bi-O层的Bi6p-O2p带也穿过了费米能,对费米面有贡献.因此,有必要对Bi-O层的作用进行实验研究.本文用X-射线光电子能谱研究了Bi2Sr2-xLaxCaCu2Oy体系中La原子的占位及Bi和Cu原子的价态变化.分析表明,La主要替代了Sr位(位于Bi-O层和Cu-O层之间)的Sr,随着La的搀杂,Bi的平均价态上升,Cu的平均价态下降.

关键词:

Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy和Bi2Sr2Ca1-xYxCu2Oy系列单晶样品输运性质的对照研究

曹强 , 阮可青 , 李世燕 , 陈仙辉 , 钱国光 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.03.002

测量了Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy(x的范围从0到0.5)和Bi2Sr2Ca1-xYxCu2Oy(x的范围从0到0.41)系列单晶样品的ab平面电阻率ρab(T).两个体系都表现出独特的掺杂效应.对掺Pr系列,超导转变温度Tc随掺杂量的增加逐渐降低,同时剩余电阻率却大幅度增加.在Pr含量达到约0.5时,体系出现了超导-绝缘体转变.对掺Y系列,观测到在某温度T*处ρab(T)偏离了对温度的线性关系,这是赝能隙打开的典型表现.t*随Y含量的增加而增加,而Tc则被迅速压制.我们预期Pr的反常磁性和掺Pr系列未观察到赝能隙有关.

关键词:

La2-xSrxCuO4单晶的平面内磁阻研究

李世燕 , 阮可青 , 曹强 , 曹烈兆 , 陈仙辉 , 袁松柳

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.03.003

测量了三种不同组分La2-xSrxCuO4(x=0.09,0.18,0.24)单晶的平面内横向(H∥c,J∥ab)和纵向(H∥J∥ab)磁阻,发现平面横向与纵向磁阻都是正的,并且纵向磁阻与横向磁阻相比较很小,表明横向磁阻的主要贡献是电子轨道部分,也反映了ab面内和c方向电子有效质量的各向异性.三种成分单晶样品的平面内横向磁阻在不同温度随Sr含量x的变化显示在最佳掺杂浓度附近平面横向磁阻最大.

关键词:

超导材料Mg1-xAgxB2的比热和电阻率

王克勤 , 李世燕 , 余旻 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.01.010

我们对新型超导化合物MgB2进行了比热和电导性质测量,测量结果显示该材料的超导临界温度为38.9K.另外我们还对Mg1-xAgxB2(x=0,0.1,0.2)的系列样品进行了测量,发现随着Ag含量的增加,样品在超导相变温度附近的比热跳跃明显减小.这可能是由于Ag和Mg生成合金,而只有少量的Mg才和B化合成MgB2,故其超导成分很少,所以比热跳跃小.但由于Ag原子量比Mg要大得多,所以样品的单位质量比热比纯样品大.当Ag掺杂到0.3时,电阻率测量表明当温度为4.2K时其电阻仍未到0,超导电性消失.另外我们分别对烧结一次和烧结两次的纯MgB2样品进行了比热测量,测量结果显示烧结过两次的样品的比热比烧结一次的样品的比热要小一些,这说明样品在烧结的过程中可能有部分Mg流失.从而导致其单位质量的比热减少.

关键词:

(Hg,M)-1222相铜氧化合物的合成及其超导电性研究(M=W、Mo、Ti、V、Cr)

刘路 , 李世燕 , 樊荣 , 陈仙辉

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.05.005

分别用固相反应和柠檬酸盐溶胶-凝胶法制备名义组成为Sr2(Gd1 5Ce0.5)Cu2Oz的前驱物,再用真空烧结的方法合成了(Hg,M)-1222相铜氧化合物(Hg0.75M0.25)Sr2(Gd1.5Ce0.5)Cu2Oz(M=W,Mo,V,Cr,Ti).溶胶-凝胶法同固相法相比混合更均匀,反应温度低,成相情况好.改进该方法后,用溶解度较高的Ce(NO3)3代替不溶于硝酸的CeO2,制得了纯1222相.研究了不同退火条件对样品电阻温度特性的影响,发现高氧压退火有助于超导转变.M=W,Mo时得到超导体,Tc(onset)在13~27K之间.

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