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李兆阳
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.03.015
关键词:
李兆阳 , 郑吉民 , 车云霞
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.012
本文报道了在TGS中掺入适量的金属铍离子的新晶体生长特性,晶体形貌分析,同时测定了新晶体的热释电系数(P)、介电常数(ε)、居里温度(Tc).实验表明,在TGS中掺入金属铍离子生成的TGAS:Be2+晶体的优值比明显提高.
关键词: 热释电材料 , TGB:Be2+ , 溶液晶体生长