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李瑞贞 , 李多力 , 杜寰 , 海潮和 , 韩郑生
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.015
提出了一种简化的全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型.该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算.通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性.因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义.
关键词: 全耗尽SOI MOSFET , 阈值电压 , 模型
曾传滨 , 海潮和 , 李晶 , 李多力 , 韩郑生
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.003
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性.提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响.
关键词: 绝缘体上的硅 , 闩锁 , 金属氧化物半导体
吴峻峰 , 毕津顺 , 李多力 , 薛丽君 , 海潮和
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.006
提出了一个提高PDSOI nMOSFETs可靠性的方法,并且研究了这种器件的热载流子可靠性.这种方法是在制造器件中,进行背沟道注入时只注入背沟道一半的区域.应力试验结果表明这种新的器件和常规器件相比,展示了较低的热载流子退变.2D器件模拟表明在漏端降低的峰值电场有助于这种器件提高的热载流子可靠性.
关键词: 半背沟 , 热载流子 , 可靠性
梅博 , 毕津顺 , 李多力 , 刘思南 , 韩郑生
半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/2/024002
关键词:
