孟兆祥
,
于广辉
,
叶好华
,
雷本亮
,
李存才
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.022
建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec.
关键词:
GaN
,
HVPE
,
流体动力学
郑燕兰
,
李爱珍
,
林春
,
李存才
,
胡建
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.038
用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.
关键词:
AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱
,
PL强度
,
激光器
李爱珍
,
李华
,
李存才
,
胡建
,
唐雄心
,
齐鸣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.032
报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs样品的x轴和y轴以5 mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布.结果表明,用GSMBE生长的Φ50 mm和Φ75 mm In0.49Ga0.51P与GaAs衬底的失配度分别为1×10-4和1×10-5,组分波动Φ50 mm沿x轴和y轴分别为±0.1%和±0.2%,Φ75 mm <±1%.表面缺陷密度在1×10～1×102 cm-2.
关键词:
InGaP
,
均匀性
,
气态源分子束外延
,
X射线双晶衍射
,
InGaP/GaAs
