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准同型相界(MPB)附近BS-PT高温压电陶瓷研究

冯亚军 , 徐卓 , 李振荣 , 张麟 , 姚熹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01127

(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界, 在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能. 本文选取PbTiO3含量在64.0%~65.5%的准同型相界附近的材料组分, 利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷, 通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究, 发现在x=64.%的组分条件下, BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能, 其室温压电常数d33可达500pC/N, 且居里温度(Tc)达到了438℃, 剩余极化强度和电致应变分别为44uC/cm2和3.5‰. 研究表明, 准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.

关键词: BS-PT , morphotropic phase boundary , high Curie temperature , piezoelectric ceramics

热处理对热连轧GH4169合金蠕变性能的影响

李振荣 , 田素贵 , 赵忠刚 , 陈礼清 , 刘相华

材料热处理学报

通过对热连轧(HCR)GH4169合金进行不同工艺热处理、蠕变性能测试和组织形貌观察,研究了热处理工艺对HCR合金组织与蠕变性能的影响。结果表明:热连轧合金中晶粒细小,具有明显的孪晶特征;HCR合金经直接时效后,大量细小γ"相在晶内弥散析出,可提高合金的蠕变抗力,在660℃、700 MPa条件下,使合金的蠕变寿命由60 h提高到126 h;经长期时效处理后,合金中的晶粒尺寸和γ"相略有长大,同时有NbC、Cr7C3碳化物在晶内析出。在蠕变过程中,HCR合金的变形特征是孪晶变形及孪晶内发生位错的双取向滑移;DA合金与LTA合金具有相近的蠕变寿命,其变形特征仍然是孪晶变形和晶内的位错滑移。

关键词: GH4169合金 , 热连轧 , 热处理 , 组织结构 , 蠕变 , 变形特征

直接时效热连轧GH4169合金的力学性能与变形特征

李振荣 , 田素贵 , 陈礼清 , 刘相华

材料科学与工艺

通过对热连轧GH4169合金进行直接时效处理、组织形貌观察和力学性能测试,研究了直接时效热连轧合金的力学性能和变形特征.结果表明,直接时效热连轧GH4169合金组织由细小晶粒组成,具有明显的形变孪晶特征,且有细小γ'和γ"相在合金中弥散析出,可提高合金强度.在实验温度范围内,合金的抗拉和屈服强度随着温度的升高而逐渐下降;在拉伸过程中,直接时效热连轧GH4169合金的变形特征是孪晶变形和位错的双取向滑移;在拉伸后期,大量微孔沿晶界或晶内形成并聚合形成裂纹,致使合金发生韧性断裂.

关键词: GH4169合金 , 热连轧 , 直接时效 , 组织结构 , 力学性能 , 变形机制 , 断裂特征

Bi(Mg1/2 Ti1/2)O3-PbTiO3压电陶瓷体系介电与居里温度特性研究?

张强 , 李振荣

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.13.012

采用传统固相法工艺制备了(1-x )Bi (Mg1/2 Ti1/2)O3-xPbTiO3(BMT-xPT,0.34≤x≤0.44)陶瓷。研究发现,随着PT含量增加,试样结构由三方相逐渐转变为四方相结构,当0.36<x<0.40时,试样结构处于准同型相界(MPB)区。研究表明 BMT组元是一种具有非铁电体特征的组分,随着 PT 含量减少,BMT-PT体系的居里温度减小,介电峰变得越来越不明显。通过研究 BMT-PT 体系组分与居里温度(TC)的关系可以看出:(1)PT 含量为0.34~0.44时,TC 随BMT含量变化实验值和 Stringer 的经验值差异较小,变化趋势一致;(2)BMT-PT 体系居里温度最大值可能在 x=0.73的附近,其居里温度最大值TC max约为550℃。

关键词: 压电陶瓷 , 居里温度 , 介电性能 , 准同型相界

B位离子的差异对铅系弛豫铁电体复合陶瓷中两相共存的影响

李振荣 , 岳振星 , 王晓莉 , 姚熹

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.1999.03.002

用两相混合烧结法分别制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)O3系和Pb(Ni1/3Nb2/3)O3系复合陶瓷.介电性能测试结果表明,Pb(Zn1/3Nb2/3)O3系陶瓷材料中保持了两相共存的复相结构,而Pb(Ni1/3Nb2/3)O3系陶瓷材料中却难以获得两相共存的复相结构,从晶体化学和扩散动力学的角度对这一结果进行了分析.

关键词: 铌锌酸铅 , 铌镍酸铅 , 复合陶瓷 , 复相

Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展

周明斌 , 李振荣 , 李静思 , 吴熙 , 范世马豈 , 徐卓

人工晶体学报

以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础.高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈.在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低,近年来发展较快.本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂种类以及得到晶体尺寸和质量等几方面进行了综述,分析了目前Na助熔剂法生长GaN单晶中的技术问题并提出了进一步研究的一些建议.

关键词: 氮化镓 , 体单晶 , Na助熔剂法 , 进展

固溶处理的热连轧GH4169合金的组织与蠕变特征

李振荣 , 马春蕾 , 田素贵 , 陈礼清 , 刘相华

材料科学与工程学报

通过对热连轧GH4169合金进行固溶和时效处理、组织形貌观察和蠕变性能测试,研究了固溶和时效处理合金的组织结构和蠕变特征。结果表明,经固溶和时效处理合金由较大尺寸晶粒组成,并具有明显的孪晶特征,且细小γ′、γ″相在晶内弥散析出,可提高合金的蠕变抗力;在实验应力和温度范围内,测得该合金的蠕变激活能为537.8kJ/mol,且对施加应力和温度具有敏感性;在蠕变期间,热连轧GH4169合金的变形特征是位错的单双取向滑移和孪晶变形,随着蠕变进行,裂纹沿晶界萌生和扩展到发生沿晶断裂是该合金的蠕变断裂机制。

关键词: 热连轧GH4169合金 , 组织结构 , 蠕变 , 变形机制 , 断裂特征

7 MPa氮压下Na助熔剂法生长GaN晶体的研究

周明斌 , 李振荣 , 范世(马岂) , 徐卓

人工晶体学报

采用Na助熔剂法在7 MPa氮压下并引入较大温度梯度(20~70℃/cm),获得了大量毫米级的GaN晶体,GaN晶体产率高达70%以上.光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体.晶体粉末衍射分析表明,生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构,与标准卡片符合得很好,而单晶衍射图谱中出现(1011)的衍射峰,说明GaN单晶锥面为{1011},其(1011)面的摇摆曲线的半高宽仅为4.4 arcsec,室温下采用He-Cd 325 nm激光器激发的GaN单晶的PL谱,最高峰位于标准GaN材料的365nm处,峰的半高宽为13.5 nm,生长的GaN单晶完整性较高.

关键词: 温度梯度 , GaN晶体 , Na助熔剂法

碳对超低碳船体钢熔敷金属冲击韧性的影响

李振荣 , 陈斌 , 张俊旭 , 王明林

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2005.01.007

考察了埋弧焊材中含少量碳(w(C)<0.05%)对10CrNiCuA钢熔敷金属冲击韧性的影响.试验发现,随碳含量的增加,熔敷金属的冲击韧性得到了很大地提高.其主要原因在于,碳元素使熔敷金属的一次组织得到了明显地细化,并强烈地抑制了熔敷金属中侧板条铁素体的生成,使得熔敷金属中针状铁素体的含量稍有增加.

关键词: 10CrNiCuA钢 , 冲击韧性 , 熔敷金属 , 埋弧焊 , 碳含量

Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷的显微结构发展与介电性能的关系

岳振星 , 李振荣 , 王晓莉 , 姚熹

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.1999.01.006

采用混合烧结法在PZN-BT-PT系统中制备了温度稳定PZN基复相陶瓷,借助SEM、TEM和介电温谱研究了复相陶瓷的显微结构发展与介电性能的关系,结果表明,复相陶瓷以溶解-沉淀机制进行晶粒生长,伴随该过程发生两相间固溶反应,使介电常数的温度稳定性降低.

关键词: 铌锌酸铅 , 驰豫铁电体 , 复相陶瓷 , 显微结构 , 介电性能

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