韩伟强
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范守善
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李群庆
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顾秉林
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俞大鹏
无机材料学报
本文报道了采用两步生长法生成碳化硅（SiC）纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段，对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．并具有峰值位于430nm的蓝光发射带，本文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行了讨论．
关键词:
碳化硅纳米晶须
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