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[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究

朱兴文 , 李勇强 , 陆液 , 李英伟 , 夏义本

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00359

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜, 研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律. 结果表明, 399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起; 与[002]取向的薄膜相比, 未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大, 且出现了380nm附近的带边发射(NBE) 峰; 在560～580℃热处理下, 其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm 左右的带间发光峰红移; 当热处理温度升至610℃时, 薄膜中再次出现380nm的NBE峰.

关键词: ZnO薄膜 , Li dopant , [101] orientation , photoluminescence

Na+掺杂ZnO薄膜的结构和电学性能

李英伟 , 林春芳 , 周晓 , 朱兴文

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2007.08.005

以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法在Si〈100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜,掺杂浓度分别为0,0.018,0.036,0.045,0.063和0.09 mol/L.研究了钠掺杂后ZnO晶胞尺寸和表面形貌的变化规律,用霍尔效应仪测试了试样的载流子浓度及导电类型,分析了材料的拉曼光谱与试样内部缺陷浓度的关系.结果表明:Na+离子可进入ZnO晶格取代Zn2+,导致晶胞变大,同时ZnO薄膜由n-型转变为p-型导电;当Na+掺杂浓度达0.045 mol/L时,其电阻率为75.7Ω·cm,空穴浓度2.955×1017 /cm3.

关键词: ZnO薄膜 , Na+掺杂 , p-型导电 , 溶胶-凝胶法

Ni-P-纳米(WC-Co)复合电刷镀层的组织结构及耐腐蚀性能

徐炳辉 , 徐建辉 , 刘成 , 李英伟

材料保护

关键词:

无氰电镀Ag-C合金

于锦 , 李英伟

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2007.09.014

研究了在无氰镀液中加入石墨后硝酸银、配位剂碘化钾、辅助配位剂的最佳含量以及施镀的电流密度等工艺条件;通过抗硫化腐蚀试验研究了不同石墨含量的银镀层在0.05%SO2和0.50%H2S气氛中的抗腐蚀变色能力;采用X射线衍射分析表明,镀层是由Ag-C组成;并通过磨损试验研究了镀层的耐磨性.结果表明,施镀最佳工艺条件为:30 g/L硝酸银,400 g/L配合剂碘化钾,2 g/L辅助配合剂,施镀的最佳电流密度为0.6 A/dm2;Ag-C镀层耐硫化变色性能和耐磨性能随镀层中石墨含量的增加而提高;镀液中石墨含量为100 g/L时综合性能最佳.

关键词: 无氰电镀 , Ag-C合金 , 耐硫性 , 耐磨性

[101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究

朱兴文 , 李勇强 , 陆液 , 李英伟 , 夏义本

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.02.034

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560～580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰.

关键词: ZnO薄膜 , Li掺杂 , [101]取向 , PL谱