郑曙阳
,
李高宏
硅酸盐通报
通过共滴定法制备羟基磷灰石(HAP)/魔芋葡甘聚糖(KGM)复合材料,用XRD、FT-IR、SEM、TEM等方法对材料进行了表征,研究了复合材料的组成以及HAP和KGM的相互作用方式.结果表明复合材料中KGM和HAP的质量比随着反应体系pH值的升高而下降;HAP/KGM复合材料间有物理力和化学力两种相互作用方式,物理力的作用方式通过KGM网络吸附HAP粒子而发生,化学力的作用方式通过KGM分子链上的羰基和HAP晶体中的Ca2+的螫合作用而发生.其中物理力是主要的作用方式,而化学力只有微弱贡献,并且这种化学力的相互作用随着KGM脱乙酰度的增加而逐渐消失.
关键词:
魔芋葡甘聚糖
,
羟基磷灰石
,
复合材料
许岗
,
李高宏
,
介万奇
,
查刚强
材料导报
利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2.采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒.采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M/HgI2的欧姆接触特性.结果表明,C/HgI2、AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接触势垒均约为0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的欧姆特性,Au/HgI2的欧姆特性相对较差.分析认为,HgI2晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒.但由于电极制备工艺没有显著影响AuCl3/HgI2和C/HgI2晶体表面质量,因而具有良好的欧姆接触特性.由于溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成Au/HgI2晶体表面质量下降,因此其欧姆接触特性较差.
关键词:
碘化汞
,
电极
,
接触势垒
,
费米能级
,
钉扎
,
表面质量
,
欧姆特性
许岗
,
介万奇
,
李高宏
,
孙晓燕
稀有金属材料与工程
利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-Hgl2晶体.经过23 d的生长,获得了尺寸约为15 mm×12 mm×5mm的a-Hgl2晶体.通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测试.结果表明,生长的α-Hgl2晶体富碘.对晶体适宜的加热可以有效减少富碘现象.晶体的电阻率约为1012Ω.cm.制备的α-HgI2核辐射探测器对未使用准直器的241Am辐射源(59.5keV)在室温下的分辨率为14.6%(8.69keV).
关键词:
碘化汞
,
热处理
,
探测器
金玲
,
杨忠
,
李高宏
,
马玉韩
,
李建平
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2003.03.009
对ZL109合金和SiCp/ZL109复合材料表面进行微弧氧化,利用扫描电镜对微弧氧化层微观组织特征进行了研究,比较测试两种材料微弧氧化层的硬度.发现ZL109合金和SiCp/ZL109复合材料都可以进行表面微弧氧化,其微弧氧化层由两层结构组成,分别为疏松层和致密层.ZL109合金微弧氧化层主要由不同结构的Al2O3相组成,SiCp/ZL109复合材料微弧氧化层由Al2O3和MgAl13O40组成.对微弧氧化层形成进行了分析.
关键词:
微弧氧化
,
铝合金
,
铝基复合材料
,
微观组织
,
硬度
许岗
,
李高宏
,
介万奇
人工晶体学报
为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱.结果表明,波长约为580 nm时,存在着本征吸收限;波长大于580 nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000～2500 nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.79±0.01 eV,0.72 eV,0.57±0.01 eV 和0.53 eV.中红外透过曲线随波长增加而增大,透过率为39%～68%.通过M/HgI2的I～t曲线,采用简单能级模型进一步确认了生长的HgI2晶体存在0.79±0.01 eV和0.72 eV两个陷阱能级.分析认为,HgI2晶体层间的相对移动形成的结构缺陷造成1572.5 nm(0.79±0.01 eV)和1729.2 nm(0.72 eV)处的吸收,晶体缺碘造成2117.5 nm(0.57±0.01 eV)处的吸收和汞空位造成2305.8 nm(0.53 eV)的吸收.在中红外波段,晶体结构缺陷造成了显著的晶格吸收.严格控制原料的化学计量比有利于减少HgI2晶体的结构缺陷,提高晶体的光学性能.
关键词:
碘化汞
,
结构缺陷
,
自由载流子吸收
梁艳峰
,
董晟全
,
李高宏
稀有金属材料与工程
采用接触反应法制备了原位TiC/Al-4.5Cu复合材料,借助光学显微镜、透射电子显微镜研究了向基体合金中添加不同含量的Mg对复合材料微观组织和拉伸性能的影响.结果表明:随着Mg的添加量由0.8％(质量分数,下同)增加到2.0％,TiC/Al-4.5Cu复合材料的延伸率下降,而抗拉强度在1.5％Mg时,达到极值.与同等条件下制备的不含Mg的TiC/Al-4.5Cu复合材料相比,抗拉强度提高了17.7％,但延伸率下降了17.9％.TiC颗粒的细化有助于复合材料力学性能的提高,但针状Al2CuMg相的析出阻碍了复合材料塑性的进一步提高.TiC/Al-4.5Cu-Mg复合材料中TiC颗粒尺寸为100 nm左右.
关键词:
原位TiC/Al-4.5Cu复合材料
,
接触反应法
,
微观组织
,
拉伸性能
许岗
,
李高宏
,
介万奇
材料导报
采用高纯HgI_2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI_2晶体.生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI_2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象.形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富集和不同晶面生长速率差异所致.生长29天的晶体体积约为1.3cm~3,可能达到了该条件下的最大体积.
关键词:
碘化汞
,
气相生长
,
形貌转变
许岗
,
介万奇
,
李高宏
人工晶体学报
利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性.测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109 Ω·cm.计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107 Ω和4.3×106 Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触.分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/ HgI2具有良好的欧姆接触特性.溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.
关键词:
碘化汞
,
Au
,
AuCl3
,
接触特性
,
I-V特性
