陈效建
,
毛昆纯
,
林金庭
,
杨乃彬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.001
着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果.
关键词:
砷化镓
,
微波单片集成电路
,
CAD模型
,
CAD设计优化
