童腾
,
苏弘
,
王晓辉
,
刘杰
,
张战刚
,
刘天奇
,
古松
,
杨振雷
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.170
中国科学院近代物理研究所材料研究中心开展了对静态随机存储器(Static Random Access Memory， SRAM)单粒子效应(Single Event Effects， SEEs)的深入研究。材料中心目前拥有的两套SRAM单粒子检测系统各自具有一定的局限性，所以又提出了一种改进的SRAM SEE检测方法，并研制了相关电路。该检测系统在兰州重离子研究装置(HIRFL)提供的束流辐射终端上进行了多次实验，获得了一批实验数据。其中包括129 Xe束流辐照条件下，对65 nm SRAM单粒子翻转的研究；12 C束流辐照条件下，对65，130和150 nm商用错误纠正编码加固SRAM SEE的研究；129Xe束流辐照条件下，对普通商用SRAM单粒子锁定的研究等。实验验证了该检测系统的有效性和可靠性，为开展SRAM SEE的研究提供了重要的检测平台，并为以后开展更复杂器件SEE的研究提供了实验经验和技术基础。
关键词:
SRAM
,
单粒子效应
,
检测系统
,
重离子
