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硅纳米线复合Mg2Si基热电材料的制备与性能研究

杜子良 , 陈少平 , 王彦坤 , 樊文浩 , 孟庆森 , 杨江锋 , 崔教林

稀有金属材料与工程

利用溶液法混合粉体并通过电场激活压力辅助烧结(FAPAS)方法制备了不同硅纳米线含量的Mg2Si基复合热电材料,研究了硅纳米线的掺入及含量对基体材料热电性能的影响.结果表明:硅纳米线掺入后材料电导率大幅降低,塞贝克系数基本不变,热导率小幅降低.随着硅纳米线掺量增加,材料电导率降低,塞贝克系数稍有提高,热导率有升高趋势.硅纳米线掺量为0.1at%的样品在800 K时ZT值达到最高值0.5.

关键词: 热电性能 , SiNWs , Mg2Si , 纳米复合 , SPB

黄铜矿型三元合金CuGaTe2的热电性能

李亚鹏 , 孟庆森 , 周红 , 杨江锋 , 崔教林

功能材料

利用放电等离子烧结技术制备了三元半导体CuGaTe2.XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGaTe2,带隙宽度(Eg)约为1.0eV,与Ga2 Te3(1.65eV)的带隙相比明显变窄.在701K时电导率达到1.6×104/(Q·m).电导率的显著提高与带隙变窄密切相关.晶格热导率占总热导率(κ)的主要部分,κ值由室温时的3.64W/(m·K)降低到701K时的1.1W/(m·K),并基本符合∝T-1关系,即声子散射基本受Umklapp过程控制.在701K时该三元化合物的最大热电优值ZT为0.49,而Ga2 Te3在860K时的最大ZT值为0.16.

关键词: 热电性能 , 黄铜矿型三元合金CuGaTe2 , 带隙宽度

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