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CuS纳米线阵列的制备

任贤明 , 江奇 , 杨高强 , 柯川 , 易锦 , 赵勇

功能材料

将多孔阳极氧化铝模板(AAO)的电化学沉积技术与真空硫化技术相结合,在制备Cu纳米线的基础之上,制备得到了CuS纳米线阵列.采用扫描电子显微镜电镜和X射线衍射仪对二次氧化的AAO模板和所得Cu与CuS纳米线的形貌和结构进行了表征,结果表明所得CuS纳米线不仅具有良好的有序阵列,而且具有多晶结构.在硫化过程中,随着硫化温度的升高,CuS结晶程度增大,在500~550℃时,达到最大的结晶程度.

关键词: 多孔氧化铝模板 , CuS纳米线阵列 , 硫化

FeS2纳米线的制备及硫化参数对其的影响

张辉 , 杨高强 , 张仁刚 , 王宝义 , 魏龙

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.010

采用阳极氧化铝模板(AAO)技术与硫化工艺结合制备了FeS2纳米线阵列.硫化后得到的FeS2纳米线保持了硫化前Fe纳米线的有序阵列.在硫化过程中,FeS2结晶温度较高,并且结晶完毕后,硫化时间对其影响较小.对样品进行表面分析表明,硫元素在表面除以FeS2存在外,仍有一部分以多聚体或单质形式吸附在纳米线上.

关键词: 阳极氧化铝模板 , 电沉积 , 热硫化 , FeS2纳米线

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