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氧化铱薄膜的制备及其导电机理研究

公衍生 , 周炜 , 梁玉军 , 谭劲

稀有金属材料与工程

采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理.结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ·cm.在25~500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征.在250~400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型;沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主.

关键词: 氧化铱薄膜 , 电性能 , 导电机理 , 霍尔效应

新型Ba2ZnS3:Cu荧光粉的合成及其发光性能

李永周 , 江庆军 , 梁玉军 , 刘明宇 , 林慧

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.02.004

采用双坩埚嵌套高温固相法在950℃下成功地合成了Ba2Zn3:Cu荧光粉,探讨了工艺条件和Cu掺杂量对样品发光亮度的影响,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计分别对其结构、形貌和发光性能进行了表征.结果表明:样品具有单一的Ba2ZnS3晶相结构;与Ba2Zn3基质不同,该荧光粉的激发光谱在近紫外区存在一个从275~350 nm的宽激发带,归因于Cu发光中心的吸收;该荧光粉在近紫外光激发下发出明亮的黄光,发射中心波长位于560 nm处,是一种良好的黄光材料.

关键词: Ba2ZnS3:Cu , 高温固相法 , 荧光粉 , 浓度猝灭

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