胡俊涛
,
程群
,
余承东
,
杨劲松
,
梅文娟
,
陆红波
,
王洁然
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0943
为改善 OLED 器件的载子注入平衡，本文在其结构 ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2 CO3/Al 中，分别引入高电子迁移率材料 Bphen 及 Bphen∶Cs2 CO3作为电子传输层。通过改变 Bphen 的厚度以及 Bphen 中 Cs2 CO3的体积掺杂浓度，研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明，采用 Bphen 或者 Bphen∶Cs2 CO3作为电子传输层，均能提高器件的电子注入能力，改善器件的性能。相比于未引入 Bphen 的器件，采用25 nm 的 Bphen 作为电子传输层，改善了器件的电子注入，使器件的最大电流效率提高112%；采用体积掺杂浓度为15%，厚度为5 nm 的 Bphen∶Cs2 CO3作为电子传输层，减小了电子注入势垒，使器件的最大电流效率提高27%，并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于 OLED 器件的阴极修饰，对器件性能的提升将起到一定的促进作用。
关键词:
电子传输层
,
Bphen
,
Cs2 CO3
,
OLED
胡俊涛
,
邓亚飞
,
梅文娟
,
宗艳凤
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0074
本文采用一种结构为Ag/MoO3/Ag的金属/氧化物/金属(M1/O/M2)叠层替代ITO作为OLED器件的阳极,研究Ag/MoO3/Ag叠层结构变化对于OLED器件电极透过率、亮度、光谱等性能的影响.实验采用真空蒸镀方法制备了一系列器件,器件结构为Ag/MoO3/Ag/MoO3 (10 nm)/NPB(40 nm)/Alq3 (60 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm).对比器件的电压-电流密度、电压-亮度、光谱特性等数据,表明Ag/MoO3/Ag的结构为20/20/10(nm)时,器件性能较好.在驱动电压为11V时,其亮度达到18 421 cd/m2,电流效率为2.45 cd/A;且因器件中存在微腔效应,其EL光谱蓝移,半高宽变窄.但考虑到530 nm处其电极透过率仅为17％,所以经换算该器件实际发光亮度比ITO电极器件更高.该Ag/MoO3/Ag叠层阳极制作相对简单,经优化后在顶发射和柔性OLED器件方面将具有一定的应用前景.
关键词:
叠层结构
,
银
,
透明阳极
,
OLED
