戴姣燕
,
胡昌义
,
万吉高
,
方颖
,
欧阳远良
,
高文桂
,
刘伟平
,
杨家明
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2006.01.005
以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜.研究了氧气流量及沉积温度对Ir/C簇膜成分和结构的影响.研究发现,少量氧气的加入(4mL/min)大幅度地降低了Ir/C簇膜中碳元素的含量;沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂:未通氧气的情况下,在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大,而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势.大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰,使其具有非晶衍射的特征.当沉积温度为650℃,未通氧气沉积的Ir/C簇膜中铱晶粒粒经约为3nm.
关键词:
低维金属材料
,
Ir/C簇膜
,
成分
,
结构
,
金属有机化合物化学气相沉积
胡昌义
,
戴姣燕
,
方颖
,
欧阳远良
,
闫革新
,
刘伟平
,
程勇
稀有金属材料与工程
以乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法在石英及YSZ基体上制备Pt/C薄膜,研究了Pt/C薄膜的结构和电化学性能.沉积过程中通入一定量的氧气可以大幅降低Pt/C薄膜中的含C量,含C较高的Pt/C薄膜的XRD谱线低而宽,具有非晶态衍射特征.在500℃测量温度下,以Pt/C薄膜为电极的YSZ氧气浓差电池的电动势及电流输出高于传统的Pt电极.
关键词:
MOCVD
,
Pt/C薄膜
,
成分
,
结构
,
性能
魏燕
,
胡昌义
,
王云
,
欧阳远良
,
陈力
,
蔡宏中
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2008.02.013
综述了化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术制备高温抗氧化涂层-铂族金属(Pt、Ir)涂层及难熔金属(W、Mo、Ta、Nb、Re)的方法.并对部分有报道的沉积参数以及沉积参数对沉积层结构及性质的影响进行了介绍.
关键词:
金属材料
,
铂族金属薄膜
,
难熔金属
,
制备
,
化学气相沉积
