魏俊红
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林璇英
,
赵韦人
,
池凌飞
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余云鹏
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林揆训
,
黄锐
,
王照奎
,
余楚迎
功能材料
采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响.
关键词:
调谐单探针
,
等离子体化学气相沉积
,
Ar等离子体
黄创君
,
林璇英
,
林揆训
,
余云鹏
,
余楚迎
,
池凌飞
功能材料
以SiCl4-H2为气源,用等离子体化学气相沉积技术,在衬底温度仅为200℃时能获得多晶硅薄膜.最大晶粒达1.5μm,结晶度在90%以上.薄膜中不合Cl、H、C、N、O等杂质,暗电导率高达10-4Ω-1@cm-1,光照稳定性好.对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论.
关键词:
多晶硅薄膜
,
SiCl4/H2气源
,
低温生长
,
结晶度
