王贺权
,
沈辉
,
巴德纯
,
汪保卫
,
闻立时
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.03.007
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制温度改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&k Analyzer 1200测量,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动；温度对消光系数k影响不大；当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大,当温度达到240℃左右时薄膜的折射率明显降低.通过XRD和SEM表征发现,随着温度的增加TiO2的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相,薄膜表面的颗粒由多变少,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑.
关键词:
二氧化钛薄膜
,
直流反应磁控溅射
,
温度
,
反射率
