高景霞
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王二萍
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李慧
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张金平
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晏伯武
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张洋洋
硅酸盐通报
微波介质陶瓷是现代通信技术快速发展的关键材料.按照应用领域的不同,介绍了几种典型的微波介质陶瓷,详细探讨了各种体系下微波介质陶瓷烧结性能的特点,并指明了今后微波介质陶瓷的发展方向.
关键词:
微波介质陶瓷
,
体系
,
介电性能
孙彩霞
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高景霞
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张金平
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王二萍
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张洋洋
硅酸盐通报
采用固相反应制备了（1－x）Ba3（VO4）2-xLi2MoO4微波介质陶瓷，研究了掺入不同质量比的Li2MoO4对Ba3（VO4）2的微观结构和微波介质性能影响，X线衍射（XRD）测试结果表明，Ba3（VO4）2和Li2MoO4二者兼容性良好，无第二相产生。添加具有低熔点及相反（负）频率温度系数的Li2 MoO4能有效降低Ba3（ VO4）2的烧结温度，并随着添加剂Li2 MoO4的增加，此复合陶瓷的相对体密度、介电常数εr 和品质因数Q ×f呈现出先增加随后又降低的趋势，而谐振频率里面温度系数τf逐渐降低。当烧结温度为660℃且添加量30wt％Li2 MoO4的复合微波介质陶瓷获得了最佳的微波介电性能：εr ＝11．99， Q ×f＝39700 GHz，τf ＝－24 ppm／℃。
关键词:
低温烧结
,
Ba3(VO4)2
,
Li2MoO4
,
微波介质陶瓷
张金平
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蔡艳艳
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王二萍
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高景霞
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李慧
,
李亚林
人工晶体学报
采用传统固相反应法制备了0.97K05Na0.5NbO3-0.03Bi0.5Na0.5ZrO3+xmo1％ CuO (0.97KNN-0.03BNZ+xCu)无铅压电陶瓷.研究不同CuO掺量(x=0、0.5、1、2、3和4)对0.97KNN-0.03BNZ陶瓷的显微结构和电学性能的影响.结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,机械品质因数Qm有明显提高,矫顽场显著增大.CuO的掺入量在3％时,样品的综合性能最佳:压电常数(d33)为137 pC/N,机电耦合系数(kp)为0.30,机械品质因数(Qm)为238,介电损耗(tanδ)为1.5％.另外,从SEM图片中可以看出:0.97KNN-0.03BNZ压电陶瓷材料的平均晶粒尺寸随着CuO掺入量的增加明显增大,这表明CuO有烧结助熔作用,能降低烧成温度.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
CuO掺杂
,
压电性能
