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ACRT-Bridgman法制备组份均匀的碲锌镉单晶体

刘俊成 , 王友林 , 宋德杰 , 崔红卫 , 张红鹰 , 董抒华 , 张国栋

人工晶体学报

采用加速坩埚旋转技术-Bridgman(ACRT-B)法制备了φ40 mm的结构较为完整的Cd0.96Zn0.04Te晶锭.利用红外分光光度计测定晶片的近红外透射曲线,最大斜率切线法测定截止波长(cut-off wavelength,threshold wavelength),进而计算截止能量和该点的Zn组份.绘制了晶片表面的组织图,以及晶锭轴向剖面的Zn组份等高线图.实验结果表明:ACRT方法显著改善晶体组份的轴向偏析和径向偏析,晶锭中部存在两个Zn组份轴向和径向皆均匀的区域,分别约占晶锭体积的37%和16%,对应于两个大的单晶晶粒,大部分区域Zn组分径向偏析几乎完全消失.

关键词: 晶体 , 组份偏析 , 碲锌镉 , 加速坩埚旋转技术

硅对铁基双相高温合金组织和性能的影响

刘俊成 , 王执福 , 王海涛 , 王友林

钢铁研究学报

为了利用常规工业原料制备低成本的超高温铁基结构合金,研究了硅对铁基(Fe-Cr-Ni-Al)双相高温合金组织和性能的影响.硅在合金中的固溶促进了碳化物的析出,过量的硅会导致合金中碳化物明显粗化,进而析出网状G相.随着硅含量的增加,合金1 250℃的抗拉强度明显提高.但是硅含量超过1.0%时,强度则明显降低.硅含量的增加有效地提高了合金在1 250℃大气环境中的抗氧化性能.综合考虑Fe-Cr-Ni-Al双相高温合金的强度和高温抗氧化性能,适宜的硅含量为1.5%.

关键词: 铁基双相高温合金 , , 组织 , 抗氧化性能

不同温度轧制H68黄铜样品退火后的晶界特征分布

姜英 , 方晓英 , 王友林 , 彭欢 , 杜佳泽

材料热处理学报

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了不同温度轧制黄铜H68样品退火后的晶界特征分布(GBCD).黄铜H68再结晶样品在不同温度下(-20℃、室温、100℃)进行6%轧制,随后进行650℃×10 min退火处理.结果表明:在室温下轧制退火比在100℃轧制退火和-20℃轧制退火生成更高比例的特殊晶界,其值达到78.7%;较大尺寸(400 μm)的∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团使外围的一般大角晶界网络连通性被阻断,实现了合金的GBCD优化.分析指出:在室温下轧制,合金的层错能有利于后续退火中形成退火孪晶,并发生∑3n(n=1,2,3)晶界迁移与交互反应;在100℃下轧制,合金的层错能较高,有利于后续退火中生成一般大角度晶界包围的新生晶粒;在-20℃下轧制,合金的层错能较低,后续退火中晶界迁移的驱动力不足,不能实现GBCD优化.

关键词: 黄铜H68 , 轧制 , 晶界特征分布

黄铜样品冷轧后在650℃退火不同时间的晶界特征分布

姜英 , 方晓英 , 王友林 , 陈宗民

材料热处理学报

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H68初始样品经6%轧制后在650℃退火不同时间的晶界特征分布(GBCD).结果表明:特殊晶界比例随退火时间增加而增大,退火10 min时达到峰值76%;同时互成∑3n(n=1,2,3)界面关系的特殊晶粒团平均尺寸超过300 μm,使外围的一般大角晶界网络连通性被阻断,实现了GBCD的优化.分析指出:退火中非共格∑3晶界优先在三叉晶界(triple junctions)处形核并在界面应力(SIBM)作用下迁移,迁移中发生∑3n(n =1,2,3)晶界的交互反应,这可能是样品晶界特征分布随退火时间演化的主要机制.

关键词: 黄铜H68 , 轧制 , 晶界特征分布

黄铜H68轧制后在不同温度退火样品的晶界特征分布

姜英 , 王友林 , 代虎波

材料热处理学报

采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了轧制和退火对黄铜H68样品晶界特征分布(GBCD)的影响。结果表明:再结晶处理后经小变形冷轧(6%)的黄铜H68样品,在650℃×10min退火比在270℃×10min退火和270℃×10min-650℃×10min退火生成更高比例的特殊晶界。进一步分析指出:在应力大小和分布相近的条件下,650oC退火时,晶界迁移的的驱动力大,相比270oC退火更能促使样品中原有及新形成的非共格∑3晶界广泛迁移,在迁移中彼此相遇并发生交互反应,派生出∑9和∑27晶界,使∑3^n(n=1,2,3)特殊晶界的比例增大,当退火10min时,特殊晶界的比例达到峰值;随后如继续保温,在界面能作用下,晶粒合并、长大使特殊晶界比例下降。

关键词: 黄铜H68 , 退火 , 晶界特征分布

强化换热对CdZnTe晶体生长过程的影响

刘俊成 , 王友林 , 郭喜平

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.05.004

为了优化CdZnTe晶体生长过程的工艺参数,利用数值模拟方法研究了强化换热对晶体生长过程固液界面凹陷、溶质组分偏析的影响.结果表明:当坩埚轴向散热强度大幅度增加时,固液界面前沿的对流显著增强;随着凝固过程的进行,固液界面凹陷深度先是显著减小,随后显著增加;晶体起始段溶质组分的径向偏析明显减小,溶质组分轴向等浓度区增长.当坩埚侧面径向散热强度增加时,固液界面前沿的对流和界面凹陷深度先是有所减弱,随后又有较大增加.当坩埚内壁碳膜厚度增加时,界面前沿的对流强度显著减弱,而固液界面凹陷深度明显增加.径向散热和碳膜厚度的增加皆不能明显影响晶体内溶质组分分布.

关键词: CdZnTe , 人工晶体 , 组分偏析 , 数值模拟 , 传热传质

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