王敬义
,
尹盛
,
陶甫廷
,
吴京波
,
冯信华
,
苏睿
,
许淑慧
,
陈正强
,
陈文辉
,
罗文广
稀有金属材料与工程
根据硅粉纯化的要求,提供了一种长落程和高反应速率的冷等离体反应器.工艺参数的选择着重于增大鞘层厚度、提高反应粒子浓度和控制抽气速率,因此,能有效的提高纯化反应的速率、粉料的回收率和粉粒一次沉降的时间.实验结果表明:该设备能将纯度为99%的工业硅纯化为约99.99%的太阳级硅.
关键词:
等离子体纯化
,
纯化反应
,
表面刻蚀
王敬义
,
王宇
,
陶甫廷
,
陈文辉
,
张巍
,
冯信华
,
陶臻宇
,
尹盛
稀有金属材料与工程
限于工艺条件, 我们过去曾得出粉粒在等离子体中沉降时, 提纯效果可忽略不计, 本文经过详细的分析、计算和论证表明, 沉降时间及提纯速率可经工艺改进而提高到使提纯效果达到决定性的地步. 文中提供了计算结果、改进措施及粉粒可收集的判据. 这对于提高等离子体总的冶金效应和将其推向应用都具有很大的意义.
关键词:
等离子体冶金
,
沉降时间
,
提纯速率
尹盛
,
王敬义
,
李战春
,
张繁
,
沈亮
,
赵伯芳
稀有金属材料与工程
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法.实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%.处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法.文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近.这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段.
关键词:
粉粒表面刻蚀
,
刻蚀提纯
,
太阳级硅
,
直流等离子体
陶甫廷
,
王敬义
,
何笑明
,
王宇
稀有金属材料与工程
由溅射速率方程和反应粒子输运方程得出了靶面化合物的覆盖度.所有方程都用反应室结构参数和宏观参数表示.文中还给出了溅射淀积TiN薄膜的计算结果,结果表明与实验数相吻合.所建立的方法便于工艺优化的实施,属新的工程方法.
关键词:
反应溅射
,
靶中毒
,
反应粒子
尹盛
,
曹伯承
,
赵亮
,
王敬义
功能材料
通过自行设计的冷等离子体粉粒纯化系统,将硅粉撒进辉光放电区,以Ar气为反应气体,利用鞘层区域辉光放电的冷等离子体对硅粉料的作用,进行一系列的处理后,硅粉表面形貌平整度明显提高,纯度从98.75 9,6提高到99.56%.在此基础上,设计射频感应放电等离子体的振动倾斜反应室,经实验,将硅粉纯度提高到99.96 9,6,接近太阳级硅的要求,也为该研究未来的发展提供了新的思路和理论参考.
关键词:
冷等离子体
,
冶金级硅
,
刻蚀
,
射频
