黄小丽
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田杨萌
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胡晓青
材料科学与工程学报
如何获得理想的氮化铝陶瓷是电子陶瓷材料研究领域的重要课题.本研究采用纳米复合添加剂Y_2O_3-La_2O_3,分别在1600℃、1650℃、1700℃、1750℃和1800℃下,无压烧结氮化铝陶瓷.测定并分析了AlN陶瓷的性能和微观结构.实验结果表明:烧结温度达到1750℃,就可获得致密烧结,此时AlN晶粒细小均匀,第二相Al_2Y_4O_9、LaAlO_3和Y_2O_3分布在AlN晶界,AlN晶粒内的氧含量很低,AIN陶瓷样品的热扩散率较高.
关键词:
氮化铝
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纳米添加剂
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烧结
,
热扩散率
