材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

Cao.28Ba0.72Nb2O6单晶的光学常数及吸收特性

连洁 , 王青圃 , 程兴奎 , 王玉荣 , 张瑞峰 , 魏爱俭 , 姜军 , 张飒飒 , 仪修杰 , 陈焕矗 , 韩建儒

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.026

山大晶体所采用提拉法生长出新晶体铌酸钙钡.本文通过分光光度计和椭偏光谱仪分别测得室温下铌酸钙钡的透射率和折射率随波长的变化关系.透射率光谱显示该晶体在波长大于380nm的可见光谱区是透明的.色散关系表明此材料的双折射较大,在短波区域寻常光及非常光的折射率之差约为0.12.此外,由透射率曲线计算了可见光范围内铌酸钙钡的吸收系数.从而得到吸收系数的平方根与光子能量的函数关系曲线.通过对该曲线的研究,发现铌酸钙钡晶体吸收边以下对应的跃迁为间接跃迁,计算出间接跃迁的禁带宽度Eg以及声子能量Ep.

关键词: CBN晶体 , 光学常数 , 吸收光谱

调制掺杂Al_0.27Ga_0.73As/GaAs多量子阱结构的光致发光

程兴奎 , CHINV．W．L. , OSOTCHANT. , TANSYEYT．L．+ , VAUGHANM．R． , GRIFFITHSG．J．

无机材料学报

在调制掺杂（Si）Al_0.27Ga_0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al_0.27Ga_0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起，由此确定DX中心有四个能级，其激活能分别为0．35、037、0．39、0．41eV

关键词: 调制掺杂 , null , null

超晶格界面的电子反射及引起的光电流特性

程兴奎 , 马洪磊 , 周均铭 , 黄绮 , 王文新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.05.017

测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T=77 K时的光电流谱,发现在波数v=1589 cm-1存在一个强电流峰.理论分析认为,该电流峰与超晶格界面的电子反射有关.据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致.

关键词: 超晶格 , 界面 , 电子反射

掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子的耦合模

程兴奎 , 王文新 , 周均铭 , 黄绮

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.06.017

在T=77 K,测量出掺杂(Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223 cm-1和422 cm-1的两个光散射峰.理论分析认为,这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的.这种耦合模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致.

关键词: 超晶格 , 等离子激元 , 纵光学声子 , 耦合模

GaAs多量子阱的光电流谱

程兴奎 , 周均铭 , 黄绮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.023

在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.

关键词: GaAs量子阱 , 光电流 , 电子干涉

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词