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Ba0.9Sr0.1TiO3薄膜的椭偏光谱研究

阳生红 , 李辉遒 , 张曰理 , 莫党 , 田虎永 , 罗维根 , 蒲兴华 , 丁爱丽

无机材料学报

用椭偏光谱仪首次在光子能量为2.1~5.2eV的范围内,测量了不同热处理温度下Ba0.9Sr0.1TiO(BST)薄膜的椭偏光谱,建立适当的拟合模型,并用Cauchy色散模型描述BST薄膜的光学性质,用最优化法获得了所有样品的光学常数(折射率η和消光系数κ)谱及禁带能.比较这些结果,初步得到了BST薄膜的折射率η、消光系数κ和禁带能随退火温度变化的变化规律.

关键词: 椭偏光谱 , optical constant spectra , BST films

Ba0.9Sr0.1TiO3薄膜的椭偏光谱研究

阳生红 , 李辉遒 , 张曰理 , 莫党 , 田虎永 , 罗维根 , 蒲兴华 , 丁爱丽

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.018

用椭偏光谱仪首次在光子能量为2.15.2eV的范围内,测量了不同热处理温度下Ba0.9Sr0.1TiO3(BST)薄膜的椭偏光谱.建立适当的拟合模型,并用Cauchy色散模型描述BST薄膜的光学性质,用最优化法获得了所有样品的光学常数(折射率n和消光系数k)谱及禁带能Eg.比较这些结果,初步得到了BST薄膜的折射率n、消光系数k和禁带能Eg随退火温度变化的变化规律.

关键词: 椭偏光谱 , 光学常数谱 , BST薄膜

直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

王世军 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报

为研究氧化依(IrO)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响,利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO薄膜.并在其上制成PZT铁电薄膜.讨论了溅射参数(溅射功率、 Ar/O比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.

关键词: 氧化铱薄膜 , DC magnetron reactive sputtering , thermal annealing

水基溶胶-凝胶法制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜及其介电性能研究

齐兵 , 何夕云 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 陈先同 , 罗维根

无机材料学报

本文研究了一种以水为溶剂的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)液体源溶液,并用Sol-Gel技术制备出BST薄膜,实验中,对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA/TGA分析,XRD谱分析显示,BST膜呈现纯钙钛矿相结构.从SEM电镜照片可以看到,BST薄膜厚度均匀一致,650℃热处理20min后,晶粒大小为200nm左右.性能测试结果表明,介电性能与膜厚有关,厚度为1250A的BST薄膜具有较优良的介电性能,当测试频率为1kHz时,介电常数为330,介电损耗为0.043左右.

关键词: 钙钛矿 , null , null , null

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

曾晟 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报

采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6μC/cm2Ec=82.gkV/cm.

关键词: 射频磁控溅射 , null , null , null

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

曾晟 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.018

采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6uC/cm2,Ec=82.9kV/cm.

关键词: 射频磁控溅射 , 铁电薄膜 , 烧绿石相 , 钙钛矿相

直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

王世军 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.027

为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响,利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜. 并在其上制成PZT铁电薄膜. 讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.

关键词: 氧化铱薄膜 , 直流磁控反应溅射 , 热退火

Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究

叶扬 , 丁爱丽 , 唐新桂 , 罗维根

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.021

研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的BST前驱液,用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜.乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度.利用XRD、DTA等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系.厚度200nm,O2气氛中700°C处理15min后的BST薄膜具有良好的介电性能,100kHz时介电常数ε>400,介电损耗D<0.02;P-E电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化Pr约为1.4μC/cm2,矫顽场强Ec约为48kV/cm.

关键词: BST薄膜 , 溶胶-凝胶法 , 乙二醇 , P-E电滞回线

溶胶-凝胶法中热处理对PMNT薄膜结构的影响

邸利锋 , 丁爱丽 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.02.019

研究用溶胶-凝胶方法制备PMNT(铌镁酸铅)薄膜的工艺过程.通过XRD和SPM系统地分析了热处理条件(热解温度和退火条件)与PMNT薄膜的形态.结晶和取向的对应关系,已建立起制备高度取向PMNT薄膜的工艺.并成功地在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备成(111)取向的PMNT薄膜.

关键词: 弛豫铁电体 , 溶胶-凝胶 , 热解 , 退火

钇改性PZT薄膜的极化印刻研究

仇萍荪 , 罗维根 , 丁爱丽

无机材料学报

铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻.

关键词: 铁电薄膜 , Y-dopped PZT(40/60) thin films , imprinting

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