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SiC单晶片研磨机理及试验

李淑娟 , 胡海明 , 李言 , 高新勤

人工晶体学报

SiC因其优良的物理机械性能而广泛应用于大功率器件以及IC领域.但其高的硬度和脆性导致其加工过程非常困难.本文分析了SiC单晶在研磨过程中的材料去除机理,讨论了塑性去除时磨粒的临界切削深度,建立了塑性条件下的材料去除模型.采用不同粒度的金刚石磨粒对SiC晶片进行研磨实验,验证了理论模型的正确性,结果表明在塑性模式下的材料去除能获得良好的表面形貌和较低粗糙度,同时对不同磨粒粒度的材料去除率进行了讨论.

关键词: SiC单晶 , 研磨 , 脆性去除 , 塑性去除 , 表面粗糙度

SiCp/LD10复合材料原位拉伸断裂行为研究

张绪虎 , 曾凡文 , 关盛勇 , 胡欣华 , 胡海明

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.1999.01.008

采用扫描电镜下的动态拉伸手段,原位观察SiCp/LD10复合材料在动态受载条件下复合材料内部裂纹形成、扩展直至断裂的全过程,结果发现裂纹主要在SiC和基体截面、断裂颗粒和内部原始缺陷处形核,整个裂纹的生长过程是在主裂纹前端应力集中区内多个微裂纹形核、长大,相互连结,然后汇集到和主应力垂直方向上,形成宏观裂纹.

关键词: 裂纹 , 形核 , 扩展 , 原位

SiCP/ZA22 复合材料界面反应层形成机制

胡海明 , 张维平 , 胡汉起

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.1998.02.006

通过电镜观察和扫描能谱分析,发现在SiCP/ZA22复合材料中,SiC颗粒和ZA22合金富铝相α-Al两相界面上存在着层状反应物MgAl2O4,并对其产生条件进行了分析.结果表明:在该复合材料制备温度范围内满足产生MgAl2O4的热力学条件,反应层厚度符合规律,最终反应物量主要与合金中的Mg含量以及SiC颗粒表面的SiO2层厚度有关.

关键词: 金属复合材料 , SiC颗粒 , 界面 , ZA22合金

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