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相分离Gd5Ge4合金温度依赖的多重磁转变行为研究

陈镇平 , 石开 , 张晓勇 , 苏玉玲 , 薛运才 , 王春梅 , 张金仓

低温物理学报

系统研究了Gd5Ge4合金的结构和磁特性的温度依赖关系,结果表明,实验样品Gd5Ge4室温下具有典型的pmma空间群正交结构,通过测量该合金场冷(FC)和零场冷(ZFC)下的热磁曲线以及交流磁化率随温度变化曲线,结合不同温度下的磁滞回线(M~H),观察到当外加磁场为1T时,体系在几个特征温度T1=10K、T2=26K、Ts-127K和T4=235K附近磁化强度出现了异常变化,反映在这些特征温度下的体系出现了复杂的多重磁转变行为,初步分析了在各特征温度附近发生的磁相变的属性,探讨了相分离中铁磁成分与温度的关联,其结果对扩展包括强关联锰氧化物在内的相分离体系物理机理的理解具有一定的参考价值和借鉴意义.

关键词: Gd5Ge4合金 , 磁相变 , 相分离 , 磁热效应

稀土ErCrO_3多铁性材料的结构与温度依赖的磁特性研究

苏玉玲 , 黎力 , 李涛 , 周云 , 陈镇平 , 曹世勋 , 张金仓

功能材料

系统研究了稀土ErCrO_3铬氧化物的结构与磁特性,结果表明,室温下实验样品ErCrO_3呈正交的单相结构(Pbnm群);从热磁曲线M-T结合不同温度下的磁滞回线结果发现,在T>133K的高温区体系表现出典型的顺磁特性,其直流磁化率倒数随温度的变化很好地遵从居里-外斯定律,由此拟合可给出体系的有效平均磁矩μ_(eff)=10.57μB、顺磁居里温度T_(cw)=-30K.随温度降低,在133K以下样品呈现出弱铁磁的Г_4(F_x)相,即铁磁相变温度为T_N≈133K;当温度进一步降低到约20K,样品ErCrO_3经历了从Г_4(F_x)弱铁磁到反铁磁相G_y或Г_1(0)的转变,并呈现出自旋重新取向特征;结合ErCrO_3结构特征,这一温度依赖的复杂磁特性反映了Cr~(3+)-Cr~(3+)、Cr~(3+)-Er~(3+)和Er~(3+)-Er~(3+)离子之间的交换耦合作用.

关键词: 稀土铬氧化物 , 倾角反铁磁性 , 铁磁性 , 顺磁性

Y1-xRxBa2Cu3O7-δ体系R=Eu、Gd)的正电子寿命和超导性研究

薛运才 , 陈镇平 , 苏玉玲 , 郝俊红 , 党凯 , 王坦 , 吕全才

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.033

本文报道了对Y1-xRxBa2Cu3O7-δ(R=Eu、Gd)两个系列样品的超导电性研究结果.首先,发现随着Eu、Gd掺杂量x的增加,Y1-x〗EuxBa2Cu3O7-δ和Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ的晶胞体积均随之增大,但所有样品均保持与Y-123样品相同的单相正交结构;正电子平均寿命实验结果表明Cu-O链处局域电子密度ne随Eu、Gd掺杂浓度x的增加而减小,说明Eu、Gd对Y位的替代引起晶胞结构参量的变化不仅改变了Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布;超导转变温度T\-c随Eu、Gd掺杂浓度x增加而略有增加,反映了Eu、Gd掺杂虽然改变了体系的局域电子结构,但没有破坏超导所需的Cu-O链与CuO2面之间的耦合;Y位掺杂体系的超导电性与掺杂离子的磁性无关,而与掺杂离子的半径有关.

关键词: 高温超导体 , 正电子湮没 , 晶体结构

多铁性铬氧化物YCrO3体系的磁特性及比热研究

苏玉玲 , 沈岩 , 李子炯 , 刘德伟 , 曹世勋 , 张金仓

中国稀土学报

系统研究了低温条件下铬氧化物YCrO3体系的磁特性及比热特点.实验结果表明,在高温区(T>140 K)直流磁化率随温度的变化遵从居里-外斯定律,YCrO3体系处于顺磁状态,样品的有效平均磁矩μefr=3.99μB、顺磁居里-外斯温度TCw =-340 K,即体系具有反铁磁性.在TN =140 K附近,YCrO3体系经历了由顺磁态向倾角反铁磁态的相转变,其自旋磁结构一直保持为Г4(Gx,Ay,Fz;FRz);低温条件下(T<140 K),体系具有完整闭合的磁滞回线,表明YCrO3样品具有反铁磁性的同时,具有明显的弱铁磁性,且随温度的降低铁磁性逐渐增强.对应于磁相变温度TN,比热曲线在140 K附近出现尖锐的λ形反常突起,由于Y离子没有磁性,显示了Cr3+磁矩亚晶格的顺磁-反铁磁相变对比热的贡献.

关键词: 铬氧化物 , 倾角反铁磁性 , D-M相互作用 , 铁磁性 , 稀土

相分离Gd_5Ge_4合金的低温磁化行为及温度依赖性研究

陈镇平 , 薛运才 , 苏玉玲 , 张晓勇 , 曹世勋 , 张金仓

功能材料

系统研究了Gd_5Ge_4合金的晶体结构和低温磁化行为.结果表明,Gd_5Ge_4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象.由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变.在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶式磁化现象发生,但仅发生在第一次外加磁场增加过程中,表现出磁不可逆性.随磁场升高,在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为,并在5572kA/m下均达到饱和磁化.在温度50~60K温区,磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的,更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性.

关键词: Gd_5Ge_4合金 , 低温磁性 , 相分离 , 台阶式磁化跳跃

Eu替代浓度对Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ体系电子结构和超导电性的影响

薛运才 , 李喜贵 , 苏玉玲 , 刘海增 , 陈镇平

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.014

利用正电子湮没和X-射线衍射技术,对Eu替代Y位的Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.8,1.0)超导体系进行了系统研究,分析了体系的电子结构和正电子寿命参数的变化特征.给出了超导转变温度Tc与Eu替代浓度x之关联.结果表明:所有Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ样品均保持与YBa2Cu3O7-δ(Y-123)样品相同的单相正交结构;正电子平均寿命τm随Eu替代浓度x的增加而增加,反映了Eu替代Y位引起晶胞结构参量的变化不仅改变了Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布及Cu-O面的层间耦合.

关键词: 高温超导体 , 正电子湮没 , 电子结构

多铁性材料YMnO3的晶体结构及磁性对制备条件的依赖

苏玉玲 , 李俊丰 , 周云 , 陈镇平 , 曹世勋 , 张金仓

低温物理学报

本文利用传统的固态反应法制备了多晶样品YMnO3,并在氧气氛中退火处理.采用X射线衍射和物性测量系统(PPMS-9T)对其进行结构分析及磁性能测试研究.实验结果表明,制备条件对样品的结构、磁性能均有影响.经过三次高温烧结,在氧气氛中退火前后样品均具有很好的六角单相结构,属于P63cm空间群.退火前的样品含有杂质相Mn3O4(其奈尔温度TN=43K),体系内反铁磁(AFM)相与铁磁(FM)相共存,但铁磁信号掩盖了YM-nO3真实的反铁磁相变;而退火后YMnO3样品没有显示出任何Mn3O4杂质相存在的迹象,在低温条件下发生了顺磁(PM)向反铁磁相的转变,磁相变温度TN≈72K.

关键词: 多铁性 , 六角结构 , YMnO3 , 反铁磁性

稀土氧化物Eu_2O_3掺杂对CaCu3Ti_4O_(12)陶瓷微结构及介电特性的影响

李涛 , 薛运才 , 陈镇平 , 苏玉玲 , 刘文涛

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.003

以稀土氧化物Eu_2O_3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(质量比:x=0,0.2%,0.5%,1%)的CCTO陶瓷样品,利用SEM、XRD、4294A型高精密阻抗分析仪等测试手段对样品的微观结构、介电性能和交流电阻率进行了测试分析.掺杂之后样品的晶格结构并未发生改变,但是样品内部相对晶相含量和晶粒平均尺寸减小,同时掺杂阻碍了样品内部晶界处富铜相的生成;纯CCTO的XRD图谱中分别出现了CuO、TiO_2和CaCO_3杂相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相;样品的介电性能与相同组分材料内部的相对晶相含量,晶粒平均尺寸和晶界处富铜相有很大关系.Eu_2O_3掺杂提高了样品介电性能的频率和温度稳定性.当掺杂量为0.2%和0.5%时,样品的介电性能得到较好改善效果.样品在低频40Hz和高频3.5MHz的交流电阻率测量结果很好的验证了Eu_2O_3掺杂导致的微结构变化对样品介电性能的影响.

关键词: 介电常数 , 频率(热)稳定性 , 富铜相 , 阻挡层电容

辅助气体组成对类金刚石薄膜结构和性能的影响

代海洋 , 陈镇平 , 程学瑞 , 翟凤潇 , 苏玉玲

功能材料

分别以氩气-甲烷、氩气-乙炔为辅助气体,高纯石墨为靶材,利用中频脉冲非平衡磁控溅射技术制备了类金刚石薄膜.采用Raman光谱、X射线光电子能谱、纳米压痕测试仪、原子力显微镜对所制备类金刚石薄膜的键结构、机械性能、表面形貌进行了分析.Raman光谱和X射线光电子能谱测试结果表明,以氩气-甲烷为辅助气体制备的类金刚石薄膜中sp3杂化键的含量比以氩气-乙炔为辅助气体制备的类金刚石薄膜的高.纳米压痕测试结果表明,以氩气-甲烷为辅助气体制备的类金刚石薄膜的纳米硬度比以氩气-乙炔为辅助气体的高.原子力显微镜测试结果表明,以氩气-甲烷为辅助气体制备的类金刚石薄膜的RMS表面粗糙度比以氩气-乙炔为辅助气体的低.以上结果说明辅助气体组成对类金刚石薄膜的键结构、机械性能、表面形貌有较大的影响.

关键词: 类金刚石薄膜 , 辅助气体组成 , 中频脉冲非平衡磁控溅射技术 , 结构 , 性能

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