李冬梅
,
李璠
,
苏宏波
,
王立
,
戴江南
,
蒲勇
,
方文卿
,
江风益
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014
本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.
关键词:
氧化锌
,
金属Ti
,
Si衬底
,
金属有机化学气相沉积
蒲勇
,
刘碧桃
,
朱达川
,
彭玲玲
,
韩涛
,
于泓
稀有金属材料与工程
采用溶剂热-溶胶凝胶两步法合成了(Y1-z,Gdz)1-x-y(Pz,V1.z)O4∶ xEu3+,yBi3+系列红色荧光粉.用XRD、SEM和荧光分光光度计,对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行了表征.结果表明:样品为四方晶系,掺杂离子的加入对基质晶体结构影响不大;样品形貌均一,呈短杆状或椭圆状;激发光谱由位于250～400 nm的O2--V5+带和Eu3+-O2-带组成;最强发射峰位于619 nm,归属于Eu3+的5D0→7F2特征跃迁发射;Eu3+的最佳掺杂量为5 mol％ (x=0.05);掺杂Bi3+、Gd3+、P5+后,样品发射强度得到显著提高,Bi3+的掺杂还会使激发带红移至400 nm.说明这类荧光粉是可用于近紫外芯片激发的白光LED用红色荧光粉.
关键词:
白光LED
,
(Y,Gd)(P,V)O4∶ Eu3+,Bi3+
,
两步法
,
红色荧光粉
戴江南
,
王立
,
方文卿
,
蒲勇
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.006
以 H2O作氧源, Zn(C2H5)2作 Zn源, N2作载气,以 GaN/Al2O3为衬底采用常压 MOCVD技术 生长了高质量的 ZnO单晶膜.用 X射线双晶衍射技术测得其对称衍射 (0002)面ω扫描半峰宽 ( FWHM)为 404arcsec,表明所生长的 ZnO膜具有相当一致的 C轴取向;其对称衍射( 0004)面ω- 2θ扫描半峰宽为 358arcsec,表明所生长的 ZnO单晶膜性能良好;同时,该 ZnO薄膜的非对称衍射 (1012)面ω扫描半峰宽为 420arcsec,表明所生长的 ZnO膜的位错密度为 108cm- 2,与具有器件质 量的 GaN材料相当.
关键词:
MOCVD
,
ZnO
,
GaN
,
X射线双晶衍射
