蔡宏中
,
易健宏
,
胡昌义
,
常桥稳
,
魏燕
,
郑旭
,
刘伟平
,
陈力
稀有金属材料与工程
以二氯化钯和2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮为原料,在甲醇中合成了一种新的β二酮前驱体-双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ).通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱及单晶X射线衍射等技术对合成的前驱体进行了结构表征.热重-差热分析表明,在N2气氛中,当温度升到291℃时,前驱体基本挥发完全.采用合成的前驱体通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在石英上沉积制备钯薄膜,利用XRD和AFM分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征.结果表明,所得到的薄膜纯净,无其他杂质存在,薄膜表面连续、致密.
关键词:
双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ)
,
钯薄膜
,
MOCVD
魏燕
,
陈家林
,
胡昌义
,
蔡宏中
,
郑旭
,
祈小红
,
陈力
贵金属
现代工业和高技术领域中，部分高熔点的贵金属材料(Pt、Rh、Ir)及其合金、复合材料等作为耐高温耐腐蚀型材料具有重要应用。因其具有高熔点、高温抗氧化性、高的抗腐蚀性能及高温强度等一系列优点，近年来在高温材料领域的研究及应用有了突飞猛进的发展。综述了贵金属材料在高温结构材料及高温抗氧化功能涂层方面的研究与应用进展，探索贵金属金属材料在高温领域的发展方向。
关键词:
金属材料
,
高温材料
,
贵金属
,
结构材料
,
抗氧化涂层材料
蔡宏中
,
吴霏
,
安盈志
,
常桥稳
,
胡昌义
,
刘伟平
,
陈力
贵金属
以三氯化钌和2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮为原料，在甲醇中合成了β-二酮前驱体-三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)酸钌(III)。通过元素分析、红外光谱、核磁共振谱、紫外-可见光谱等对其进行了表征，确定了配合物的结构组成。采用 TG-DTA 分析了配合物在空气和氮气中的热分解行为，为MOCVD 镀钌和钌的氧化物薄膜工艺提供热力学数据与参考。
关键词:
三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)酸钌(III)
,
合成
,
结构特征
蔡宏中
,
易健宏
,
魏燕
,
张诩翔
,
郑恄
,
陈力
,
胡昌义
贵金属
用光学显微镜和扫描电镜对尺寸为Φ6 mm的加工态Ir和IrRh40合金棒材的金相组织、高温氧化后的组织和 IrRh40/GH3128合金焊缝进行了研究；采用力学试验机对 IrRh40/GH3128的焊接强度进行了研究。结果表明，Rh的加入在Ir中能起到了明显的细化晶粒作用，显著提高了Ir的抗氧化性能；IrRh40与GH3128合金的焊接性能良好，焊缝强度可达到474 MPa。
关键词:
金属材料
,
Ir
,
IrRh40
,
组织结构
,
性能
蔡宏中
,
魏巧灵
,
魏燕
,
陈力
,
郑旭
,
胡昌义
稀有金属材料与工程
介绍了化学气相沉积(CVD)制备难熔金属钽涂层的原理及方法.采用冷壁式化学气相沉积法,在钼基体上沉积出难熔金属钽层.分析研究了CVD温度对沉积层的沉积速率、组织、结构和硬度等的影响.结果表明:在1000～1200℃温度范围,沉积速率随温度升高而增大 ;当温度超过1200℃时,沉积速率随温度的升高反而略有减小 ;沉积层组织呈柱状晶并随温度的升高逐渐增大 ;沉积层的硬度及密度随温度的升高而逐渐降低.化学气相沉积钽的最佳温度在1100℃左右.
关键词:
化学气相沉积
,
钽
,
组织
,
性能
蔡宏中
,
魏巧灵
,
陈力
,
王云
,
胡昌义
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.04.010
利用TaCl2-H2-HCl反应体系,采用冷壁式化学气相沉积法(CVD)在钼基体表面沉积钽涂层.通过X射线衍射仪、金像显微镜及扫描电镜等手段,对不同沉积温度下钽涂层的组成、组织及形貌进行了研究.结果表明:在1000～1300℃范围内,钽沉积层的相组成无变化,而对择优生长有一定影响；钽沉积层晶粒尺寸随沉积温度的升高而增大；钽沉积层表面颗粒呈金字塔形多面体且随沉积温度的升高而增大.
关键词:
化学气相沉积
,
钽涂层
,
相组成
,
显微组织
,
形貌
陈力
,
胡昌义
,
蔡宏中
,
王云
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2010.01.001
以乙酰丙酮铱和乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上沉积了PtIr薄膜.研究了前驱体加热温度对PtIr薄膜结构、成分和沉积速率的影响.结果表明,MOCVD的PtIr薄膜为合金膜,Pt-Ir合金薄膜成分、沉积速率随前躯体加热温度变化而变化,并存在极值点.
关键词:
复合材料
,
金属有机物化学气相沉积
,
Pt-Ir合金膜
,
成分
,
沉积速率
蔡宏中
,
易健宏
,
魏巧灵
,
陈力
,
魏燕
,
胡昌义
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.06.010
介绍了化学气相沉积(CVD)技术制备难熔金属钽涂层的原理及方法.利用TaCl5-H2-HCl反应体系,以冷壁式化学气相沉积法在钼基体表面沉积了钽涂层.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线物相分析仪(XRD)、显微硬度计等分析手段,研究了反应气体(氢气、氯气)的流量变化对钽涂层的沉积速率、结构、表面形貌、硬度及密度等的影响;应用Harris公式,计算了钽涂层的织构系数,获得了钽涂层的择优取向.研究结果表明:随着氢气流量的增加,涂层沉积速率加快,随着氯气流量的增加,涂层的沉积速率则是先增加后减小;涂层由体心立方结构的钽(α-Ta)构成,表面形貌呈类金字塔形结构,涂层(200)晶面方向为最快生长方向;反应气体流量变化对涂层硬度及密度的影响均不明显;涂层维氏硬度在HV 130.94 ～HV 152.43之间,涂层致密性好,相对密度都在99.65％以上.
关键词:
反应气体
,
化学气相沉积
,
钽涂层
,
性能
