樊龙
,
黎宇坤
,
陈韬
,
李晋
,
杨志文
,
袁铮
,
邓博
,
曹柱荣
,
胡昕
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140346
碘化铯(CsI)薄膜因对X射线及紫外光具有高的光电转换效率而倍受关注。在核物理、高能物理以及天体物理研究的推动下，研制高量子效率(QE)、性能稳定的CsI薄膜光阴极成为了近年来研究的热点。然而，目前人们对某些影响其性能的因素还不完全清楚或确定。本文综述了CsI薄膜光阴极的最新研究进展，总结了影响QE的因素和光阴极的老化机理，重点关注了一些存在争议的问题，并对其研究发展方向进行了探讨。
关键词:
CsI薄膜
,
光阴极
,
量子效率
,
受潮老化
,
辐照老化
,
综述
刘洪涛
,
桑文斌
,
袁铮
,
闵嘉华
,
詹峰
稀有金属材料与工程
采用有限元方法,对晶体结晶结束位置处的晶体内部热应力分布进行了数值模拟,结果表明:晶体在石英安瓿内壁附近,变径处以及头部尖端处的热应力较大,应力值约在108 N/m2数量级,晶体中部热应力分布较小且比较均匀,约为107 N/m2.为了防止晶体在生长过程中头部尖端处以及变径处的位错延伸至晶体内部,提出了在不同生长阶段采用不同下降速度,并且在晶体下降至变径处采用"回熔"操作的新工艺.实验结果表明:利用新工艺生长的晶体位错密度明显降低,约为2×10 2 cm-2,同时显著地提高了晶体的利用率.
关键词:
CdZnTe晶体生长
,
热应力模拟
,
探测器
袁铮
,
桑文斌
,
钱永彪
,
刘洪涛
,
闵嘉华
,
滕建勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00195
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体, 实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响, 重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系. 并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨. 结果表明, 当In掺杂量为5×1017cm-3时, 得到了电阻率达1.89×1010Ω· cm的高阻CdZnTe晶体.
关键词:
探测器
,
CdZnTe
,
In doping
,
electrical properties
袁铮
,
桑文斌
,
钱永彪
,
刘洪涛
,
闵嘉华
,
滕建勇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.01.038
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
关键词:
核探测器
,
CdZnTe
,
In掺杂
,
电学性能
