王浩琦
,
覃礼钊
,
官家建
,
李彬
,
林华
,
李元
,
梁宏
,
廖斌
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.01.002
目的 通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层.研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响.方法 采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 mL/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜.通过X射线衍射、场发射电子显微镜、扫描探针显微镜、X射线光电子能谱仪、透射电镜,对薄膜的物相结构和形貌进行分析.结果 随着气体流量的增加,CrCN复合薄膜的晶粒逐渐减小最终向非晶化转变.TEM结果表明,在CrCN复合薄膜中有大量几纳米到十几纳米的纳米晶浸没在非晶成分中.SPM表明,随着基底偏压由–200 V增大到–150 V,CrCN薄膜的表面粗糙度Sa由0.345 nm上升至4.38 nm.XPS、TEM和XRD数据表明,薄膜中Cr元素主要以单质Cr、CrN以及Cr3C2的形式存在.结论 采用磁过滤真空阴极弧沉积技术制备的CrCN复合薄膜具有纳米晶-非晶镶嵌结构.该方法沉积的CrCN薄膜的表面粗糙度与基底负偏压有关.混合气体的流量变化对薄膜组分的变化几乎无影响.
关键词:
CrCN
,
结构分析
,
磁过滤真空阴极弧沉积
,
X射线光电子能谱
张宇
,
李庆
,
曹金利
,
覃礼钊
,
张进
,
李元
,
戴策
表面技术
[摘 要] 以乙酸铜为铜源,β-环糊精为表面活性剂,NaOH为添加剂,KBH4为还原剂,在室温水溶液中制备了直径约为50 nm的Cu2O,对产物的组成、能隙、光催化性能进行了分析.研究表明:产物结晶性良好,粒径分布较均匀,且产率高；此外,该纳米Cu2O由于比表面积大,对甲基橙在30 min内的催化效率高达94.9％,甲基橙几乎全部被降解,显示出良好的催化活性.
关键词:
氧化亚铜
,
纳米材料
,
光催化性能
刘哲
,
李庆
,
林华
,
覃礼钊
,
李元
,
聂明
,
解国猛
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅰ).040
以聚乙二醇为表面活性剂,在室温下采用简便、高效、环保的均匀沉淀法制得 ZnO 纳米片,并用 XRD、SEM、TEM、UV-Vis 等方法对产物进行了表征.研究表明,ZnO 纳米片平均直径为300 nm,平均厚度约为40 nm,产物形貌规则且分散均匀,结晶性良好.通过对 ZnO 纳米片形成机理和实验条件进行系统探讨,提出了三步反应机理.发现聚乙二醇对产物的形貌和尺寸起着关键作用,反应温度对其也有着重要影响.通过甲基橙光催化实验,发现ZnO 纳米片具有优良的光催化性能,在日光照射2 h下对甲基橙溶液的脱色率可达99．3％.该法简便、绿色、快捷,具有良好的工业化生产前景,并可推广于其它纳米功能材料的制备.
关键词:
ZnO
,
纳米片
,
绿色制备法
,
光催化
孙佳
,
覃礼钊
,
张旭
,
吴正龙
,
王浩琦
,
程南璞
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.025
离子束改性技术在先进陶瓷材料方面的应用效果突出.在阐述离子束改性原理的基础上,综述了该技术在先进陶瓷薄膜材料微观结构与组织,力学性能和摩擦学性能方面的应用.离子束改性是一种高能高效的掺杂改性手段,在辅助制备高质量薄膜、改善薄膜力学和摩擦力学方面有着显著的优势.深入了解离子束与薄膜原子的作用机制,精确调配薄膜的微观结构和组成,降低成膜质量的不确定性,是未来离子束改性先进陶瓷薄膜的研究重点.
关键词:
离子束改性
,
先进陶瓷
,
陶瓷薄膜
,
结构
,
力学性能
吴波
,
杨秀德
,
张颂
,
覃礼钊
材料导报
基于密度泛函理论的第一性原理研究了四元Heusler合金Co2MnGe1-xGar和Co2FeGe1-xGax的晶体结构、半金属稳定性和磁性,发现随着掺入Ga比例x的改变,其晶格常数遵循Vigard原理.对于Co2 MnGal-x Gex系列的合金,其原胞磁矩很好地符合SP(Slater-Pauling)值和实验值；而对于Co2 MnGe1-xGax系列合金,其原胞磁矩虽然与实验值一致,但却随x的减小而逐渐偏离SP值.态密度显示,Co2 MnGe1-xGax系列合金在x=0～0.75的掺杂比例内都有0.4～0.6eV的自旋向下带带隙宽度,而Co2 FeGe1-xGax虽然在费米面附近也存在较高的自旋极化,但几乎不存在显著的自旋向下带带隙.此外,四元合金Co2 MnGe0.75 Ga0.25的费米面居于最小自旋带隙的中部,将具有较好的半金属稳定性.
关键词:
Heusler合金
,
半金属稳定性
,
费米面
,
态密度
覃礼钊
,
张旭
,
吴正龙
,
刘安东
,
廖斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00789
为研究磁过滤阴极弧制备的四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon, ta-C)膜在自然环境中使用的热稳定性, 将ta-C膜在空气中退火3h, 退火温度分别为200、400和500℃. 用XPS和Raman谱对膜的微观结构进行表征. 结果表明, 在400及400℃以下退火, XPS谱C1s峰和Raman谱都没有明显变化. 当退火温度为500℃时, C1s峰峰形仍然没有变化; Raman峰ID/I G增大, G峰峰位未变, 峰的对称性变好. 分析显示膜中石墨颗粒长大, 但没有发生石墨化. 说明磁过滤阴极弧制备的ta-C膜因不含氢和结构致密而表现出良好的热稳定性. 另外, 在退火温度为500℃时, 样品边缘已经氧化挥发.
关键词:
热稳定性
,
filtered cathodic vacuum arc deposition
,
ta-C film
,
microstructure
覃礼钊
,
张旭
,
吴正龙
,
刘安东
,
廖斌
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.031
为研究磁过滤阴极弧制备的四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)膜在自然环境中使用的热稳定性,将ta-C膜在空气中退火3h,退火温度分别为200、400和500°C.用XPS和Raman谱对膜的微观结构进行表征.结果表明,在400及400°C以下退火,XPS谱C1s峰和Raman谱都没有明显变化.当退火温度为500°C时,C1s峰峰形仍然没有变化;Raman 峰 ID/IG增大,G峰峰位末变,峰的对称性变好.分析显示膜中石墨颗粒长大,但没有发生石墨化.说明磁过滤阴极弧制备的ta-C膜因不含氢和结构致密而表现出良好的热稳定性.另外,在退火温度为500°C时,样品边缘已经氧化挥发.
关键词:
热稳定性
,
磁过滤阴极弧沉积
,
ta-C膜
,
微观结构
