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双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

刘石勇 , 曾湘波 , 彭文博 , 姚文杰 , 谢小兵 , 杨萍 , 王超 , 王占国

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.08.003

采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3~5nm.对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究.结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加.提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%.

关键词: 纳米硅 , 氢稀释比 , 光学带隙

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