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镶嵌纳米晶硅的氧化硅薄膜微观结构调整及其光吸收特性

梅艳 , 贾曦 , 安彩虹 , 完继光 , 徐艳梅

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.05.019

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在不同N2O流量条件下制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜,利用透射电镜(TEM),X射线衍射分析(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)和透射光谱技术研究了薄膜中的氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、薄膜键合结构和光吸收特性的影响.结果表明,薄膜由nc-Si粒子和非晶SiOx组成,为混合相结构.nc-Si的生长与氧化反应的竞争决定了薄膜微观结构、键合特性以及光吸收特性.随着N2O流量的增加,薄膜的晶粒尺寸逐渐减小.晶界区过渡晶硅的比例减少,晶粒界面随之消失,带隙呈持续增加趋势.该实验结果为nc-Si/SiOx薄膜在新型太阳电池中的应用提供了基础数据.

关键词: 红外光谱 , 纳米晶硅 , 氧化硅 , 键合结构

Ni替代Nb对Bi1.5ZnNb1.5O7陶瓷介电性能的影响

张东 , 张红霞 , 胡小冬 , 梅艳 , 贾曦

硅酸盐通报

以分析纯级原料,按照一定比例混合,利用固相反应制备Bi1.5ZnNb1.5O7陶瓷.研究结果表明:Ni掺杂样品能够有效地降低烧结温度至960℃;样品相结构保持立方焦绿石相;随着Ni3+替代量的增加,介质材料的介电常数及介电损耗逐渐增大;在-195~150℃的温度范围内,介电常数存在明显的弛豫现象,随Ni3+的掺杂量增加,逐渐向高温方向移动,在1 MHz下其峰值温度为:-98.1℃,-97.7℃,-97.1℃,-94.2℃.

关键词: 铋锌铌基陶瓷 , 烧结温度 , 介电性能 , 离子替代

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