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低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

贾红娟 , 尹训茜 , 查俊伟 , 施昌勇 , 党智敏

功能材料

用单体4,4′-二胺基二苯醚(ODA)和均苯四甲酸二酐(PMDA)添加纳米SiO2,在溶剂N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)中,采用原位聚合法合成SiO2/聚酰亚胺(PI)复合薄膜。用氢氟酸刻蚀SiO2纳米粒子,引入纳米微孔,形成含有微孔的PI薄膜。造孔剂含量为15%时,薄膜的介电常数从纯聚酰亚胺的3.54降低至3.05(1kHz)。用透射电镜表征微孔结构,分析了微孔孔径和造孔剂(SiO2)含量对薄膜介电常数、耐热性、疏水性和机械强度等性质的影响。

关键词: 聚酰亚胺 , 介电常数 , SiO2 , 纳米微孔

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