赵俊亮
,
付涛
,
憨勇
,
徐可为
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.05.004
采用树脂传递模塑(RTM)工艺制备了碳纤维增强环氧树脂以及碳纤维增强羟基磷灰石(HA)/环氧树脂两种复合材料,并测试了其力学性能.结果表明,RTM工艺可以基本保证环氧基体均匀浸入碳纤维织物内部.碳纤维增强HA/环氧复合材料的冲击韧性高于碳纤维增强环氧复合材料,而弯曲强度和弯曲模量低于碳纤维增强环氧复合材料.两种复合材料的弯曲强度远高于人体皮质骨,弯曲模量与皮质骨非常接近.动态力学分析(DMA)表明加入HA后,复合材料的贮存模量和内耗降低,玻璃化转变温度升高.
关键词:
碳纤维
,
羟基磷灰石
,
环氧树脂
,
树脂传递模塑(RTM)
徐小科
,
赵俊亮
,
李效民
,
吴永庆
,
杨哲
,
何兵
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.009
低压化学气相沉积法生长的 B 掺杂 ZnO 薄膜具有良好的光散射特性，可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极.以 Zn (C2 H 5)2和 H 2 O 为前驱体， B2 H 6为掺杂物，通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了 B 掺杂 ZnO 薄膜.通过 XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征，着重研究了(110)取向的 BZO 薄膜的生长机理.结果表明，厚度在500 nm 以下的 BZO 薄膜主要表现为(002)取向，随着厚度的增加，薄膜取向开始向(110)转变.所得 BZO 镀膜玻璃在400~1000 nm范围内总透过率＞80％，雾度最高可达28％(550 nm)，方块电阻最低约7Ω/□，电阻率最低约1．0×10－3Ω?cm.
关键词:
BZO
,
透明导电氧化物
,
生长机理
,
雾度
,
低压化学气相沉积(LPCVD)
边继明
,
李效民
,
赵俊亮
,
于伟东
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00701
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜, 以X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌. 结果表明, 随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善. 优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向, 柱状晶垂直衬底表面生长, 结构致密均匀. 以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料, 利用剥离(lift-off)技术制备了MSM结构ZnO光电导型紫外探测器. 紫外光照射前后的I-V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象, 分析了其光电响应机理.
关键词:
ZnO薄膜
,
pulsed laser deposition (PLD)
,
photoconductive UV detector
,
photoresponsivity mechanism
徐冰
,
赵俊亮
,
张检明
,
孙小卫
,
诸葛福伟
,
李效民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11499
采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列, 以提高LED芯片的出光效率. 通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性, 进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列. 在此基础上, 进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响, 探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理. 结果表明, 较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率. 在优化的实验条件下, 表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60%以上, 并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性.
关键词:
ZnO纳米阵列; 大功率LED芯片; 出光效率; 化学溶液法
张亦文
,
李效民
,
赵俊亮
,
于伟东
,
高相东
,
吴峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00531
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上, 生长不同In掺杂量的SrInxTi{1-xO3(x=0、0.1、0.2)薄膜, 研究In掺杂及本征SrTiO3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能、表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响. 结果表明, In掺杂导致薄膜结晶度降低, 通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度, 增强薄膜的(200)择优取向性. 然而随In掺杂量的增加, 薄膜表面平均粗糙度增大; 生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式; 拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强, 说明薄膜的晶体对称性降低.
关键词:
脉冲激光沉积法
,
SrTiO3 film
,
buffer layer
,
crystallinity
赵俊亮
,
李效民
,
边继明
,
张灿云
,
于伟东
,
高相东
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.031
通过超声喷雾热解工艺,以醋酸锌和醋酸铵的混合水溶液为前驱溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了N掺杂ZnO薄膜,采用热质联用分析(TG-DSC-MS)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和霍耳效应(Hall-effect)测试等手段研究了喷雾热解工艺下N掺杂ZnO薄膜的生长机理、晶体结构和电学性能.结果表明,随衬底温度的不同,薄膜呈现出不同的生长机理,从而影响薄膜的晶体结构和电学性能.在优化的衬底温度下,实现了ZnO薄膜的p型掺杂,得到的p型ZnO薄膜具有优异的电学性能,载流子浓度为3.21×1018cm-3,霍耳迁移率为110cm2·V-1s-1,电阻率为1.76×10-2Ω·cm.
关键词:
p型ZnO薄膜
,
喷雾热解
,
掺杂
,
生长机理
边继明
,
李效民
,
赵俊亮
,
于伟东
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.030
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加,ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善.优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM结构ZnO光电导型紫外探测器.紫外光照射前后的I-V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理.
关键词:
ZnO薄膜
,
脉冲激光沉积
,
光电导紫外探测器
,
光电响应机理
张亦文
,
李效民
,
赵俊亮
,
于伟东
,
高相东
,
吴峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.022
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrInxTi1-xO3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能,表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.
关键词:
脉冲激光沉积法
,
SrTiO3薄膜
,
缓冲层
,
结晶度
徐冰
,
赵俊亮
,
张检明
,
孙小卫
,
诸葛福伟
,
李效民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11499
采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响,探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理.结果表明,较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率.在优化的实验条件下,表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60％以上,并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性.
关键词:
ZnO纳米阵列
,
大功率LED芯片
,
出光效率
,
化学溶液法
边继明
,
李效民
,
张灿云
,
赵俊亮
,
于伟东
,
高向东
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.006
以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上沉积了氮-铟(N-In)共掺杂ZnO薄膜.采用X射线衍射、场发射扫描电镜、霍尔效应、塞贝克效应、光致发光谱等分析方法,研究了N-In共掺杂对所得ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响规律.结果表明:通过氮-铟共掺杂,ZnO薄膜的电学和光学性能发生明显改变.优化工艺条件下,所得ZnO基薄膜结构均匀致密,电阻率为 6.75×10-3 Ω·cm,并且在室温光致发光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰,表明薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量.
关键词:
ZnO薄膜
,
超声喷雾热分解
,
N-In 共掺杂
,
光致发光
