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InAs/GaSb 超晶格红外探测器台面的 ICP 刻蚀研究

郭杰 , 郝瑞亭 , 赵前润 , 满石清

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.027

采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb;Cl2比例在20%~40%时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。

关键词: InAs/GaSb , 超晶格 , ICP 刻蚀 , 刻蚀速率 , 表面形貌

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