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退火温度对Eu3+掺杂TiO2-SiO2复合薄膜的发光影响

赵建果 , 赵阿可 , 谢二庆 , 张伟英 , 刘照军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.04.013

用溶胶-凝胶法制备了Eu3+离子掺杂的TiO2-SiO2复合薄膜并研究了退火温度对复合薄膜的光致发光的影响.并采用XRD、Raman和光致发光谱对其进行了一系列的表征.在退火温度为700℃的时候,Eu3+离子引起的发光强度是最强的,而随着退火温度的升高由TiO2本身的Ti3+离子缺陷能级引起的在近红外820nm处的发光峰的强度变得越来越强,一方面是因为随着退火温度的升高Ti3+离子增多,即缺陷能级数量增多,另一方面是Eu3+离子的能量背传递给Ti3+离子缺陷能级,这两个原因导致820nm处的发光峰强度随退火温度而增强.

关键词: TiO2-SiO2 , 光致发光 , 缺陷能级 , 能量传递

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