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稀土负载钛-硅沸石ETS-10的制备及其光催化性质

任远航 , 辜敏 , 胡怡晨 , 岳斌 , 江磊 , 孔祖萍 , 贺鹤勇

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(10)60293-8

以水玻璃和四氯化钛为原料,在不使用有机模板剂、氟离子和晶种的条件下,用水热法合成了钛-硅沸石ETS-10,将La、Ce、Pr和Nd四种稀土元素负载到合成的ETS-10上.通过X射线粉末衍射、N2吸附-脱附、29Si魔角旋转核磁共振、紫外漫反射光谱、X射线荧光光谱等表征手段对负载前后的ETS-10进行了表征.以有机染料甲基橙为底物,考察了负载各种稀土及氢氟酸腐蚀对ETS-10的光催化活性的影响.结果表明,四种稀土元素的引入均可有效提高ETS-10的光催化活性.反应活性提高的程度与稀土元素负载量有关.对ETS-10同时进行氢氟酸腐蚀和稀土元素的负载,可以将ETS-10的光催化活性提高近一倍,与锐钛矿相TiO2相当,但前者更易分离.

关键词: 钛硅沸石 , 微孔钛硅分子筛(ETS-10) , 稀土 , 光催化反应 , 甲基橙

烟煤制备成型活性炭及其PSA浓缩CH_4/N_2中CH_4的性能研究

辜敏 , 刘克万 , 鲜学福 , 曾来 , 姚伟静

功能材料

以重庆烟煤为原料,采用碳化-活化-气相沉积工艺制备了变压吸附(PSA)浓缩CH_4/N_2中CH_4用的成型活性炭,考察了制备工艺条件对活性炭浓缩CH_4/N_2中CH_4效果的影响.用低温液氮吸附方法对活性炭的孔结构进行了表征.实验结果表明,制备的成型活性炭在单循环五步PSA过程的抽真空步骤可使CH_4的浓度较原料气提高20.0%(体积分数)左右.对浓缩效果为20%(体积分数)的AC-1活性炭进行了表征,其BET比表面积为580m~2/g,微孔孔容为0.14cm~3/g,孔径分布主要集中在2.0~4.0nm.

关键词: 成型活性炭 , 烟煤 , CH_4 , CH_4/N_2 , 浓缩 , 变压吸附(PSA)

碳分子筛的微结构表征

刘克万 , 辜敏 , 林文胜 , 鲜学福 , 曾来

材料科学与工程学报

综述了国内外表征碳分子筛(CMS)微结构包括微孔结构、表面形态与形貌的主要方法.详细介绍了表征CMS微孔结构所借助的主要吸附理论模型的特点及其在解析CMS微孔结构的应用情况,分析了各种模型的优势与不足.同时,还对红外光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜技术在CMS表面形态及形貌表征的的应用进行了讨论.

关键词: 碳分子筛 , 表征 , 微孔结构 , 表面形态与形貌

无烟煤制备颗粒活性炭及其PSA分离CH_4/N_2性能

辜敏 , 刘克万 , 鲜学福 , 冯砚艳

材料科学与工艺

为高效利用矿井煤层气,以重庆无烟煤为原料,采用简单的空气预氧化-碳化工艺制备了变压吸附(PSA)分离CH4和N2混合气体(CH4/N2)所用的颗粒活性炭(GAC)吸附剂,采用穿透和PSA实验研究了制备工艺条件对GAC分离CH4/N2的效果及其影响,利用低温液氮吸附和透射电镜(TEM)方法对GAC进行孔结构表征,利用傅立叶红外(FTIR)方法进行表面性质的表征.结果表明:在适宜条件范围制备的GAC对低浓度CH4的CH4/N2分离效果较好;采用单循环五步PSA过程可使CH4的体积分数较原料气提高20%~30%;制备的GAC孔结构以微孔为主,对CH4/N2的选择性高的有效孔径占较大比例,其表面形成的含氧官能团有利于CH4/N2分离.

关键词: 颗粒活性炭 , 无烟煤 , CH4/N2 , 分离 , CH4 , 变压吸附

碲基复合材料薄膜的三阶非线性光学特性

甘平 , 辜敏 , 李强 , 鲜晓东

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00295

采用电化学诱导溶胶-凝胶法在导电玻璃片上制备了具有三阶非线性光学特性的碲基复合薄膜材料. 采用SEM( 扫描电镜)和EDX ( X 光电子能谱)对薄膜的表面形貌和组成进行表征; 应用分光光度计得到薄膜的透射光谱、反射光谱、吸收光谱, 并结合脉冲激光器和 Z 扫描方法测量薄膜的三阶非线性光学特性. 实验结果表明制备的薄膜呈网状结构, 表面组分主要包括Si、Te、O元素; 薄膜在波长为1064nm处呈现负的非线性折射效应和饱和吸收的性质, 其非线性折射系数和非线性吸收系数分别为-4.18×10 - 13 m2/W和-1.6×10 - 6 m/W, 表明了碲基复合薄膜有较强的非线性光学效应, 得到三阶极化率为1.13×10 - 14 (m/V)2, 表明复合薄膜具有优良的三阶非线性光学性能.

关键词: 碲基复合材料 , Thin films , Z-scan technology , third-order opticalnonlinearities

3-巯基-1-丙烷磺酸钠复配添加剂对铜电沉积的作用及机理

辜敏 , 钟琴

材料保护

3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)、聚乙二醇(PEG)、Cl-(MPS-PEG-Cl)添加剂组合硫酸盐镀液常用于超大集成电路铜的超等角填充.采用极化曲线和电化学交流阻抗谱(EIS)研究了酸性硫酸铜镀液中MPS与PEG和Cl-于一定浓度组合下对Cu电沉积的影响.极化曲线和EIS结果一致表明,MPS与PEG和Cl-之间都存在协同作用,MPS-PEG阻化而MPS-Cl和MPS-PEG-Cl促进Cu的电沉积;低电位下,MPS和Cl-,Cu+/Cu2+形成的中间产物吸附于电极表面;MPS阻化Cu的电沉积,但与Cl-一起有协同作用,在超等角填充中起促进作用,大于阻化作用,这种促进作用源于MPS和Cl-的配位反应.

关键词: MPS , PEG , Cl- , 铜填充 , 电沉积

碲基复合薄膜在纳米尺度下的电学特性研究

甘平 , 辜敏 , 卿胜兰 , 鲜晓东

功能材料

分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜(AFM/SPM)在纳米尺度下对碲基复合(Te/TeO2-SiO2)薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对介电常数小于以硅为主要成分的衬底相对介电常数。利用光谱分析,碲基复合薄膜的禁带宽度约为3.14eV。

关键词: 碲基复合薄膜 , 原子力/扫描探针显微镜 , 表面电势 , 电容梯度

超大规模集成电路中的电沉积铜

辜敏 , 杨防祖 , 黄令 , 姚士冰 , 周绍民

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2004.01.004

利用铜代替铝作为超大规模集成电路的互连接线,代表了半导体工业的重要转变.铜电沉积是互连"大马士革"(Damascene)工艺中最为重要的技术之一.综述了铜在芯片微刻槽中电沉积填充的过程、机理,并着重讨论了实现无裂缝和无空洞理想填充的主要因素-镀液的组成和添加剂的影响.

关键词: , 电沉积 , 微刻槽 , 填充 , 超大规模集成电路

电化学和sol-gel法结合制备Cu-SiO2薄膜——不同pH值CuSO4硅溶胶中Cu的电化学行为

陈应龙 , 辜敏

材料保护

研究金属或半导体在溶胶中的电化学行为对电化学和溶胶-凝胶(sol-gel)法结合制备掺杂金属和半导体的复合凝胶薄膜有极大指导意义.用循环伏安(CV)和计时安培(CA)法研究了电化学和sol-gel法结合制备Cu-SiO2凝胶薄膜时不同pH值CuSO4硅溶胶中Cu在玻碳电极上的电沉积和电结晶行为.结果表明:在pH=1.0 ~3.0的CuSO4硅溶胶中,Cu2+的扩散系数在pH =2.0时最小,pH=1.0时较pH =3.0时大,这也是造成硅溶胶中pH =2.0时还原最难,pH =3.0时次之,pH=1.0时最易的原因;Cu在硅溶胶中的电沉积为Langmuir型吸附-三维瞬时成核机理;硅溶液中Cu2的传递系数均大于0.9,存在吸附层;Cu2在吸附过程的总放电量Qads随pH值增大而增大;Cu的成核数密度都随电位增大而增大,随pH值增大而减小,故pH值在1.0 ~3.0内越大越不利于制备Cu-SiO2薄膜.

关键词: Cu-SiO2凝胶薄膜 , 电化学法 , 溶胶-凝胶法 , 循环伏安法 , 计时安培法 , 电沉积 , 电结晶

粘结剂对颗粒活性炭PSA分离CH4/N2性能的影响

刘立恒 , 辜敏 , 鲜学福 , 喻江涛

材料研究学报

以褐煤为原料,分别采用煤焦油、可溶淀粉和聚丙烯酰胺(PAM)作粘结剂,制备了用于变压吸附(PSA)分离CH4和N2混合气体(CH4/N2)的三种颗粒活性炭GAC-C、GAC-T和GAC-P,对样品的表面官能团和孔结构进行表征,研究了粘结剂对活性炭PSA分离CH4/N2性能的影响.结果表明:粘结剂的种类和用量对样品分离效果影响较大,GAC-T的PSA分离CH4/N2的性能最好.粘结剂用量(粘结剂与煤粉的质量比)为0.15-0.20时,GAC-T可将CH4浓缩28%左右;GAC-C、GAC-T和GAC-P表面含氧官能团含量的关系排序为GAC-T>GAC-C>GAC-P,而三者的孔结构范围则为10-30 nm、2-10 nm和0.4-2 nm,相差较大;样品碱性表面含氧官能团的含量越高越有利于CH4/N2的PSA分离;CH4/N2分离效果受微孔的影响较大,0.4-0.7 nm的微孔是造成GAC-C、GAC-T和GAC-P分离效果差异的主要因素.

关键词: 无机非金属材料 , 颗粒活性炭 , 变压吸附 , CH4/N2 , 孔结构

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