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助熔剂提拉法生长化学计量比LiNbO3晶体

孙敦陆 , 杭寅 , 张连瀚 , 钱小波 , 李世峰 , 徐军 , 罗国珍 , 祝世宁 , 朱永元 , 林培江 , 洪荣华 , 邓棠波

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.020

利用助熔剂提拉法,分别从掺入11mol%K2O的同成份LiNbO3熔体中和从掺入19mol%*!K2O的化学配比LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比LiNbO3单晶.对这两种从不同配比熔体中生长的晶体进行光谱分析表明,与同成份比LiNbO3相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,OH红外吸收峰的位置和线宽也都有显著的变化.室温极化反转测试显示,两种晶体的矫顽场分别为4.4kV/mm和0.8kV/mm.根据所得测量结果,估计两种晶体中Li2O的含量分别为49.6mol%和49.9mol%.其中从掺19mol% K2O化学配比LiNbO3熔体中生长出的LiNbO3单晶的Li2O含量已非常接近50mol%的化学配比.进一步优化生长工艺,获得成份均匀、大尺寸化学计量比晶体的工作正在进行中.

关键词: 铌酸锂晶体 , 化学计量比 , 助熔剂提拉法 , 吸收光谱

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