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射频磁控反应溅射氧化硅薄膜微结构和电击穿场强研究

金桂 , 蒋纯志 , 邓海明

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.03.005

采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响.结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058nm下降至0.785nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414nm降低至5.046nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高.薄膜的绝缘性能显著增强.

关键词: 射频磁控反应溅射 , 表面形貌 , 电击穿场强

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