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固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析

曹雪 , 舒永春 , 叶志成 , 皮彪 , 姚江宏 , 邢晓东 , 许京军

人工晶体学报

本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.

关键词: 热力学 , 固态源分子束外延 , InGaP , GaAs , 异质结构

聚合物负载离子液体研究进展

凌七龙 , 李丽霞 , 邢晓东 , 刘祖亮

材料导报

综述了近几年国内外聚合物负载离子液体的研究进展,根据聚合物载体的种类,分别归纳总结了碳链型聚合物、杂链型聚合物、有机元素型聚合物、无机盐高分子负载离子液体的制备,并讨论了其在有机合成、分离工程、电化学等方面的应用.

关键词: 聚合物 , 负载离子液体 , 制备 , 应用

俄歇复合对应变量子阱激光器阈值电流的影响

贾国治 , 姚江宏 , 刘国梁 , 柏天国 , 刘如彬 , 邢晓东

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.021

通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高.

关键词: 光电子学 , 俄歇复合 , 应变量子阱 , 阈值电流密度 , 特征温度

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