常伟
,
范广涵
,
谭春华
,
李述体
,
雷勇
,
黄琨
,
郑品棋
,
陈宇彬
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.025
制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.
关键词:
光电子学
,
有机金属化学气相沉积
,
光子晶体
,
人工欧泊
,
温度
郑品棋
,
范广涵
,
李述体
,
孙惠卿
,
郑树文
,
邢海英
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.013
光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率.应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%.
关键词:
光电子学
,
减吸收
,
能流传输分析
,
p-GaN
,
抗全反射
