梁戈
,
郑彬娜
,
蒋百灵
,
李玉庆
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2007.04.004
采用非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅衬底上沉积类石墨碳膜(GLC),研究基体负偏压对GLC膜的组织形貌及性能的影响.结果表明:基体偏压影响镀层表面形貌,-30 V下的镀层表面为较小颗粒状组织;-65 V下的镀层表面均匀致密,无明显颗粒组织;-90 V下的镀层颗粒边界趋于明显;-120 V下的出现大小不均匀的颗粒.沉积速率在-65 V前保持平稳,-90 V时下降为0.25 μm·h-1.随偏压的增加,Ar元素含量先增加后降低.
关键词:
非平衡磁控溅射
,
偏压
,
形貌
,
沉积速率
