张杰
,
郝作强
,
远晓辉
,
郑志远
,
张喆
,
俞进
,
鲁欣
,
奚婷婷
,
王兆华
,
仲佳勇
,
金展
,
刘运全
,
令维军
,
赵卫
,
魏志义
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.03.003
对超强飞秒激光在空气中传输形成等离子体通道进行了系统研究.空气中长等离子体通道的形成主要是由于光学克尔自聚焦效应,等离子体散焦作用和光束衍射之间达到了动态平衡,使超强飞秒激光脉冲在空气中形成数百米长甚至千米量级长度的等离子体通道.我们发展了通道的四种主要诊断方法:声学诊断、荧光探测、电阻率测量和横截面成像方法,这几种方法各有优势,可以互为补充.研究了通道同时伴随的三次谐波辐射,三次谐波具有与基频激光相似的变化规律.从应用角度出发,我们对通道内细丝进行了优化控制,对通道寿命的延长进行了研究,使通道寿命达到了微秒量级.改变激光脉冲的初始啁啾,得到了更远距离处的稳定成丝分布,和最优化的超连续光谱产生,此外,还介绍了激光诱导高压放电的应用研究.
关键词:
激光技术
,
等离子体通道
,
能量背景
,
通道寿命
,
三次谐波
,
高压放电
吴秀文
,
马鸿文
,
杨静
,
郑志远
材料导报
以天然矿物微斜长石为主要原料,13X沸石前驱体为晶核剂,结合介孔分子筛MCM-41与13X沸石合成工艺,合成了孔壁中含有13X沸石基本结构单元的铝硅酸盐介孔分子筛.主要对形成分子筛过程中表面活性剂(CTAB)用量(摩尔比(CTAB∶SiO2)分别为0.10、0.15、0.20和0.25)、母液搅拌时间(0.5h和1 h)和晶化时间(2天、4天、6天和8天)等因素对样品孔序度的影响进行了研究.样品表征采用XRD和傅立叶红外光谱等测试手段.结果表明,由天然矿物微斜长石合成介孔分子筛是可行的;合成的分子筛孔壁中含有13X沸石基本结构单元,即硅铝氧构成的双六元环结构单元.对样品孔序度的研究表明,摩尔比(CTAB ∶ SiO2)越大,样品孔序度越好;母液搅拌时间为1h比0.5h条件下合成的样品的孔序度好;晶化时间由2天逐渐增加到4天后,分子筛孔序度在各个方向上已变得非常好,继续延长晶化时间至6天和8天后,样品在各个方向上的孔序度总体仍然很好,但样品XRD曲线上主衍射峰(100)强度下降,说明随晶化时间延长,样品在(100)方向上孔的短程有序性下降.
关键词:
介孔分子筛
,
微斜长石
,
13X沸石
,
孔序度
吴秀文
,
马鸿文
,
郑志远
,
李志宏
,
张林涛
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.05.003
以微斜长石制备的硅铝酸盐前驱物为主要原料,以13X沸石晶核剂为孔壁结构导向剂,水热合成了含有13X沸石基本结构单元的硅铝酸盐介孔分子筛SAN-01.在该方法中,首先微斜长石与Na2CO3按物质的量比为1:1.05的比例混合后,在820℃下焙烧2h.焙烧物料室温下在0.01mol/L的NaOH水溶液陈化24h后,与50mL的十六烷基三甲基溴化铵(C16TMABr)水溶液(含7.4g C16TMABr)混合、再经105℃下晶化48h、过滤、水洗和焙烧等工艺,合成了硅铝酸盐介孔分子筛.当假定孔结构为球形散射体时,小角散射(small-angle X-ray scattering,SAXS)给出的样品平均壁间距的统计平均值为5.42nm,比XRD给出的结果偏大8.8%.SAXS给出的SAN-01的壁间距分布介于0.2～11.3 nm之间,N2吸附与XRD联合给出的壁间距分布介于3.8～4.9 nm之间,即SAXS给出的壁间距分布范围较N2吸附与XRD联合给出的壁间距分布范围宽.该差别可能源于样品中存在的部分闭孔结构,或N2分子与分子筛表面的不饱和羟基之间的分子间力.
关键词:
介孔分子筛
,
13X沸石
,
微斜长石
,
小角散射
,
N2吸附
郑志远
,
陈铁锌
,
曹亮
,
韩玉岩
,
徐法强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00301
在氧等离子体辅助的MBE系统中, 以1 nm厚的Au薄膜为催化剂, 基于气?液?固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长. 通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到, ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上, 直径为20~30 nm. X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明: ZnO纳米线为六方纤锌矿结构, 具有沿c轴方向的择优取向. 光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰, 475~650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.
关键词:
ZnO
,
nanowire
,
MBE
,
VLS
郑志远
,
陈铁锌
,
曹亮
,
韩玉岩
,
徐法强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00301
在氧等离子体辅助的MBE系统中,以1 nm厚的Au薄膜为催化剂,基于气-液-固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长.通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到,ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上,直径为20～30 nm.X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明:ZnO纳米线为六方纤锌矿结构,具有沿c轴方向的择优取向.光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰,475～650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.
关键词:
ZnO
,
纳米线
,
分子束外延
,
VLS
